Документация
Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В, 80 Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
У поставщиков
168 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:168 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 133,34 |
| от 16 | 124,43 |
| от 32 | 117,16 |
| от 100 | 111,75 |
| от 150 | 107,71 |
Описание
STMicroelectronics выпускает биполярный IGBT-транзистор STGP14NC60KD. Компонент рассчитан на ток до 14 А, напряжение 600 В и мощность 80 Вт, выполнен в корпусе TO-220AB. Подходит для импульсных источников питания и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Частота | 50kHz |
| Current fall time | 75ns |
| Current rise time | 8.5ns |
| Вх. емкость | 760pF |
| Полный заряд затвора | 34.4nC |
| Выходная емкость | 86pF |
| Время задержки включения | 22.5ns |
| Gate emitter charge | 8.1nC |
| Время задержки выключения | 116ns |
| Напр. диода | 2.1V |
| Gate collector charge | 16.4nC |
| Off voltage rise time | 60ns |
| Turn on current slope | 700A/µs |
| Current fall time 125c | 144ns |
| Current rise time 125c | 9.5ns |
| Total switching losses | 237µJ |
| Turn on delay time 125c | 22ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Ток отсечки коллектора | 150µA |
| Прямая крутизна | 3.2S |
| Gate emitter voltage max | ±20V |
| Pulsed collector current | 50A |
| Turn off delay time 125c | 196ns |
| Turn on switching losses | 82µJ |
| Turn off latching current | 50A |
| Turn off switching losses | 155µJ |
| Diode forward voltage 125c | 1.3V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 6.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 4.5V |
| Off voltage rise time 125c | 24ns |
| Turn on current slope 125c | 680A/µs |
| Diode reverse recovery time | 37ns |
| Total power dissipation 25c | 80W |
| Total switching losses 125c | 501µJ |
| Gate emitter leakage current | ±100nA |
| Обратная проходная емкость | 15.5pF |
| Short circuit withstand time | 10µs |
| Описание (англ.) | IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
| Collector cutoff current 125c | 1mA |
| Макс. напр. К-Э | 600V |
| Diode reverse recovery charge | 40nC |
| Diode rms forward current 25c | 20A |
| Turn on switching losses 125c | 131µJ |
| Diode reverse recovery current | 2.1A |
| Turn off switching losses 125c | 370µJ |
| Continuous collector current 25c | 25A |
| Diode reverse recovery time 125c | 61ns |
| Continuous collector current 100c | 14A |
| Diode reverse recovery charge 125c | 98nC |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 600V |
| Diode reverse recovery current 125c | 3.2A |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5V |
| Неповторяющийся импульсный прямой ток | 55A |
| Thermal resistance junction case igbt | 1.56°C/W |
| Thermal resistance junction case diode | 2.2°C/W |
| Collector emitter saturation voltage 125c | 1.8V |
| Напряжение, В | 600 |
| Ток, А | 14 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?