Документация
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 3 А, 20W
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
У поставщиков
101 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:101 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 136,07 |
| от 18 | 126,83 |
| от 35 | 119,30 |
| от 100 | 113,69 |
| от 150 | 109,50 |
Описание
STMicroelectronics STGF6NC60HD — биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с напряжением коллектор-эмиттер 600 В и током коллектора 3 А. Отличается низким напряжением насыщения и высокой скоростью переключения, что обеспечивает эффективную работу в импульсных источниках питания и силовых цепях. Корпус TO-220FP с изолированным основанием упрощает монтаж и отвод тепла при мощности до 20 Вт.
Технические характеристики
| Qg | 13.6nC |
| Tj | 150°C |
| Tl | 300°C |
| GFS | 3S |
| Icl | 19A |
| Qgc | 5.1nC |
| Qge | 3.4nC |
| Cies | 205pF |
| Coes | 32pF |
| Cres | 5.5pF |
| Iges | ±100nA |
| Tstg | -55 to 150°C |
| V ge | ±20V |
| V ces | 600V |
| V iso | 2500V |
| Семейство | PowerMESH IGBT |
| Ic 25c | 6A |
| If rms | 10A |
| Suffix | H |
| Tf 25c | 100ns |
| Tr 25c | 5ns |
| Eon 25c | 20µJ |
| Ets 25c | 88µJ |
| Ic 100c | 3A |
| Корпус | TO-220FP |
| Qrr 25c | 14nC |
| Tf 125c | 124ns |
| Tr 125c | 4.3ns |
| Trr 25c | 21ns |
| Vf 1 5a | 1.6V |
| Eoff 25c | 68µJ |
| Eon 125c | 37µJ |
| Ets 125c | 130µJ |
| Особенности | Low on voltage drop, Low Cres/Cies ratio, Very soft ultra fast recovery antiparallel diode, High frequency operation |
| Ices 25c | 10µA |
| Irrm 25c | 1.36A |
| Тип монтажа | Выводной |
| Ptot 25c | 20W |
| Qrr 125c | 32nC |
| Rthj amb | 62.5°C/W |
| Trr 125c | 34ns |
| V br ces | 600V |
| Eoff 125c | 93µJ |
| Ic pulsed | 21A |
| Ices 125c | 1mA |
| Irrm 125c | 1.88A |
| Rthj case | 5°C/W |
| Td on 25c | 12ns |
| Td off 25c | 76ns |
| Td on 125c | 13ns |
| Применение | High frequency inverters, SMPS and PFC, Motor drivers |
| Описание | N-channel 600V - 7A - I2PAK / D2PAK / TO-220 / TO-220FP Very fast PowerMESH IGBT |
| Артикул | STGF6NC60HD |
| Td off 125c | 98ns |
| Tr voff 25c | 40ns |
| V ge th max | 5.75V |
| V ge th min | 3.75V |
| Di dt on 25c | 612A/µs |
| Tr voff 125c | 60ns |
| V ce sat max | 2.5V |
| V ce sat typ | 1.9V |
| Vf 1 5a 125c | 1.3V |
| Di dt on 125c | 560A/µs |
| V ce sat typ 125c | 1.7V |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Описание (англ.) | IGBT Chip N-CH 600V 6A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
| Ток, А | 6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?