+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
STGD6NC60HDT4
Документация

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 7 А

Артикул:776602
У поставщика
У поставщиков
1 650 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 650 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 10 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 182,44
от 4576,98
от 8972,65
от 17768,85
от 35466,29
Описание

Биполярный транзистор IGBT от STMicroelectronics рассчитан на напряжение 600 В и ток до 7 А. Выполнен в компактном корпусе DPAK, подходит для поверхностного монтажа. Применяется в импульсных источниках питания, силовых преобразователях и промышленной автоматике.

Технические характеристики
Qg13.6nC
GFS3S
Icl19A
Qgc5.1nC
Qge3.4nC
Cies205pF
Coes32pF
Cres5.5pF
Iges±100nA
Tstg-55 to 150°C
V ces600V
Ic 25c15A
If rms10A
Tf 25c100ns
Макс. Tj150°C
Tr 25c5ns
Макс. прямое напряжение2.1V
Vf typ1.6V
Eon 25c20µJ
Ets 25c88µJ
Ic 100c7A
КорпусDPAK
Qrr 25c14nC
Tf 125c124ns
Tr 125c4.3ns
Trr 25c21ns
Vf 125c1.3V
Vge max±20V
Eoff 25c68µJ
Eon 125c37µJ
Ets 125c130µJ
Ices 25c10µA
Irrm 25c1.36A
Тип монтажаSMD
Ptot 25c56W
Qrr 125c32nC
Rthj amb62.5°C/W
Trr 125c34ns
V br ces600V
Eoff 125c93µJ
Ic pulsed21A
Ices 125c1mA
Irrm 125c1.88A
Rthj case2°C/W
Td on 25c12ns
РазмерыA: 2.20-2.40mm; B: 0.64-0.90mm; C: 0.45-0.60mm; D: 6.00-6.20mm; E: 6.40-6.60mm; G: 4.00mm; A1: 0.90-1.10mm; A2: 0.03-0.23mm; B2: 5.20-5.40mm; C2: 0.48-0.60mm
Td off 25c76ns
Td on 125c13ns
Tr off 25c40ns
Vge th max5.75V
Vge th min3.75V
ОписаниеN-channel 600V - 7A - DPAK Very fast PowerMESH IGBT
АртикулSTGD6NC60HDT4
Td off 125c98ns
Tr off 125c60ns
Di dt on 25c612A/µs
Tl soldering300°C
V ce sat max2.5V
V ce sat typ1.9V
Di dt on 125c560A/µs
V ce sat 125c1.7V
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Описание (англ.)IGBT N-CH 600V 15A 56000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Напряжение, В600
Ток, А6

Заметили ошибку в описании или параметрах?