Документация
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 3 А, 48 Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
У поставщиков
271 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:271 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 116,24 |
| от 19 | 108,20 |
| от 38 | 101,64 |
| от 76 | 96,75 |
| от 152 | 93,10 |
Описание
Биполярный транзистор IGBT от STMicroelectronics рассчитан на напряжение 600 В и ток до 6 А при мощности 48 Вт. Выполнен в компактном корпусе DPAK для поверхностного монтажа. Подходит для применения в автомобильной электронике и импульсных источниках питания.
Технические характеристики
| Тип | N-channel IGBT |
| Gfs max | 2.5S |
| Gfs тип. | 1.7S |
| Корпус | DPAK (TO-252) |
| Vge max | ±20V |
| Iges max | ±100nA |
| Тип монтажа | SMD |
| Vces max | 600V |
| Ic pulsed | 25A |
| Vge th max | 4.5V |
| Vge th min | 2.5V |
| Ptot at 25c | 48W |
| Vbr ces min | 600V |
| Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5V |
| Vce sat typ | 1.2V |
| Размеры мм | A: 2.20-2.40; B: 0.64-0.90; C: 0.45-0.60; D: 6.00-6.20; E: 6.40-6.60; G: 4.40-4.60; H: 9.35-10.10; A1: 0.90-1.10; A2: 0.03-0.23; B2: 5.20-5.40; C2: 0.48-0.60; L2: 0.8; L4: 0.60-1.00 |
| Тип. время нарастания | 150µs |
| Ices at 25c max | 10µA |
| Ices at 125c max | 100µA |
| Capacitance input | 255pF |
| Fall time off 25c | 0.72µs |
| Capacitance output | 30pF |
| Delay time off 25c | 3.4µs |
| Fall time off 125c | 1.2µs |
| Delay time off 125c | 3.6µs |
| Gate emitter charge | 5.4nC |
| Ic continuous at 25c | 6A |
| Latching current min | 15A |
| Application frequency | <1kHz |
| Gate charge total max | 23nC |
| Gate charge total typ | 18nC |
| Gate collector charge | 5.5nC |
| Ic continuous at 100c | 3A |
| Turn on current slope | 50A/µs |
| Crossover time typ 25c | 1.8µs |
| Время задержки вкл. тип. | 125µs |
| Crossover time typ 125c | 2.8µs |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Off voltage rise time 25c | 1.0µs |
| Диап. темп. хр. | -65°C to 175°C |
| Off voltage rise time 125c | 1.45µs |
| Diode reverse recovery time | 1700ns |
| Capacitance reverse transfer | 5.6pF |
| Diode forward current pulsed | 25A |
| Описание (англ.) | IGBT N-CH 600V 6A 48000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Diode reverse recovery charge | 4500nC |
| Turn off switching losses 25c | 1.15mJ |
| Turn on switching losses 125c | 1100µJ |
| Diode reverse recovery current | 9.5A |
| Turn off switching losses 125c | 1.8mJ |
| Diode forward voltage max at 3a | 1.9V |
| Diode forward voltage typ at 3a | 1.55V |
| Diode forward current continuous | 3A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 3.125°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Напряжение, В | 600 |
| Ток, А | 3 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?