Документация
Биполярный транзистор IGBT, 375 В, 30 А, 150 Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
У поставщиков
2 711 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 711 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 111,29 |
| от 34 | 104,34 |
| от 68 | 98,82 |
| от 135 | 93,98 |
| от 270 | 90,71 |
Описание
Биполярный транзистор IGBT от STMicroelectronics. Рассчитан на напряжение 375 В, ток до 30 А и мощность 150 Вт. Выполнен в компактном корпусе DPAK, поддерживает логический уровень управления. Подходит для автомобильных систем зажигания и других устройств силовой электроники.
Технические характеристики
| ESD (мм) | 800V |
| ESD CDM | 2kV |
| ЭСР HBM | 8kV |
| Маркировка | GD18N40LZ |
| Корпус | DPAK |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 5.5µs |
| Упаковка | Tape and reel |
| Время нарастания | 3.5µs |
| Код заказа | STGD18N40LZT4 |
| Gate charge | 29nC |
| Gate resistance | 1.6kΩ |
| Вх. емкость | 490pF |
| Выходная емкость | 90pF |
| Время задержки включения | 0.65µs |
| Время задержки выключения | 13.5µs |
| Gate threshold voltage | 1.2-2.3V |
| Turn off voltage slope | 105V/µs |
| Gate emitter resistance | 12-22kΩ |
| Single pulse energy 25C | 300mJ |
| Макс. темп. хр. | 175°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Общая рассеиваемая мощность | 150W |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Collector current pulsed | 40A |
| Single pulse energy 150C | 180mJ |
| Непрерывный ток коллектора | 30A |
| Gate emitter clamped voltage | 12-16V |
| Gate emitter leakage current | 450-830µA |
| Обратная проходная емкость | 5pF |
| Описание (англ.) | IGBT+Z 375V, 30A, 150W (Logic-Level, for Ignition) |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1°C/W |
| Collector emitter clamped voltage | 360-420V |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Emitter collector breakdown voltage | 20V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.35-1.7V |
| Thermal resistance junction ambient dpak | 100°C/W |
| Thermal resistance junction ambient ipak | 100°C/W |
| Thermal resistance junction ambient d2pak | 62.5°C/W |
| Thermal resistance junction ambient to220 | 62.5°C/W |
| Напряжение, В | 400 |
| Ток, А | 18 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?