Документация
Биполярный транзистор IGBT 420В 30А 150Вт D2PAK
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
У поставщиков
1 029 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:710 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 400 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 113,85 |
| от 10 | 76,07 |
| от 100 | 71,19 |
Склад 13
В наличии:319 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 119,69 |
| от 20 | 111,34 |
| от 40 | 104,54 |
| от 80 | 99,45 |
| от 159 | 95,66 |
Описание
Биполярный транзистор IGBT от STMicroelectronics рассчитан на напряжение 420 В, ток до 30 А и мощность 150 Вт. Выполнен в компактном корпусе D2PAK (TO-263) для поверхностного монтажа. Подходит для импульсных источников питания и силовых цепей промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Тип | IGBT |
| Корпус | D2PAK (TO-263) |
| Особенности | AEC-Q101 qualified, SCIS energy 180 mJ @ 150°C, Logic level gate drive, Integrated gate and gate-emitter resistor, ESD gate-emitter protection, Gate-collector high voltage clamping |
| Тип монтажа | SMD |
| Кол-во выводов | 3 |
| Артикул | STGB18N40LZT4 |
| Lead span max | 15.85mm |
| Lead span min | 15.00mm |
| Макс. ширина корпуса | 10.40 mm |
| Body width min | 10.00 mm |
| Высота корпуса макс. | 4.60 mm |
| Body height min | 4.40 mm |
| Макс. длина корпуса | 9.35 mm |
| Мин. длина корпуса | 8.95 mm |
| Gate resistance | 1.6kΩ |
| Модель машины ЭСР | 800V |
| Вх. емкость | 490pF |
| Полный заряд затвора | 29nC |
| AEC-Q101 | Да |
| Выходная емкость | 90pF |
| Макс. высота корпуса | 4.60mm |
| Package height min | 4.40mm |
| Gate resistance typ | 1.6 kΩ |
| ESD HBM | 8kV |
| Тип. входная емкость | 490 pF |
| Тип. заряд затвора | 29 nC |
| Logic level gate drive | Да |
| Выходная емкость тип. | 90 pF |
| Package body width max | 10.40mm |
| Package body width min | 10.00mm |
| Package body length max | 9.35mm |
| Package body length min | 8.95mm |
| Single pulse energy 25C | 300 mJ |
| Макс. темп. хр. | 175°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Общая рассеиваемая мощность | 150W at TC=25°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Esd charged device model | 2kV |
| Pulsed collector current | 40A |
| Single pulse energy 150C | 180 mJ |
| Current fall time typ 25c | 5.5µs |
| Current rise time typ 25c | 3.5µs |
| Диап. темп. хр. | -55 to 175 °C |
| Current fall time typ 150c | 8µs |
| Current rise time typ 150c | 3.8µs |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.3V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.2V |
| Тип. пороговое Uзи | 1.6V |
| Turn on delay time typ 25c | 0.65µs |
| Gate emitter resistance max | 22kΩ |
| Gate emitter resistance min | 12kΩ |
| Gate emitter resistance typ | 16kΩ |
| Turn off delay time typ 25c | 13.5µs |
| Turn on delay time typ 150c | 0.65µs |
| Continuous collector current | 30A at TC=100°C |
| Обратная проходная емкость | 5pF |
| Single pulse scis energy 25c | 300mJ |
| Turn off delay time typ 150c | 14.2µs |
| Описание (англ.) | IGBT 420V 30A 150W D2PAK |
| Collector cut off current 15v | 10µA |
| Single pulse scis energy 150c | 180mJ |
| Total power dissipation tc25c | 150W |
| Collector cut off current 150C | 10 µA at VCE=15V; 100 µA at VCE=200V |
| Collector cut off current 150c | 100µA |
| Turn off voltage slope typ 25c | 105V/µs |
| Turn off voltage slope typ 150c | 97V/µs |
| Gate emitter clamped voltage max | 16V |
| Gate emitter clamped voltage min | 12V |
| Gate emitter clamped voltage typ | 16V |
| Gate emitter leakage current max | 830µA |
| Gate emitter leakage current min | 450µA |
| Gate emitter leakage current typ | 625µA |
| Обр. проходная емкость тип. | 5 pF |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Continuous collector current tc100c | 30A |
| Current fall time inductive 25C typ | 5.5 µs |
| Current rise time resistive 25C typ | 3.5 µs |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1°C/W |
| Current fall time inductive 150C typ | 8 µs |
| Current rise time resistive 150C typ | 3.8 µs |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 175 °C |
| Turn on delay time resistive 25C typ | 0.65 µs |
| Collector emitter clamped voltage max | 420V |
| Collector emitter clamped voltage min | 360V |
| Collector emitter clamped voltage typ | 390V |
| Turn off delay time inductive 25C typ | 13.5 µs |
| Turn on delay time resistive 150C typ | 0.65 µs |
| Термосопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Turn off delay time inductive 150C typ | 14.2 µs |
| Emitter collector breakdown voltage min | 20V |
| Emitter collector breakdown voltage typ | 28V |
| Turn off voltage slope inductive 25C typ | 105 V/µs |
| Turn off voltage slope inductive 150C typ | 97 V/µs |
| Collector emitter saturation voltage 25C max | 1.7V |
| Collector emitter saturation voltage 25C typ | 1.35V at IC=10A, VGE=4.5V |
| Collector emitter saturation voltage max 25c | 1.7V |
| Collector emitter saturation voltage typ 25c | 1.35V |
| Collector emitter saturation voltage 150C typ | 1.30V at IC=10A, VGE=4.5V |
| Collector emitter saturation voltage typ 150c | 1.30V |
| Напряжение, В | 400 |
| Ток, А | 18 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?