Документация
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 60 Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
У поставщиков
247 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:247 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 93,93 |
| от 25 | 87,11 |
| от 49 | 81,55 |
| от 97 | 77,38 |
| от 194 | 74,28 |
Описание
STGB10NC60KDT4 — это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) производства STMicroelectronics. Компонент рассчитан на напряжение 600 В и ток 10 А при мощности 60 Вт. Относится к серии PowerMESH™, оптимизирован для высокочастотных переключений и применения в импульсных источниках питания, сварочных инверторах и силовой электронике.
Технические характеристики
| Маркировка | GB10NC60KD |
| Корпус | D2PAK |
| Тип монтажа | SMD |
| Упаковка | Tape and reel |
| Вх. емкость | 380pF |
| Полный заряд затвора | 19nC |
| Выходная емкость | 46pF |
| Gate emitter charge | 5nC |
| Current fall time 25c | 82ns |
| Current rise time 25c | 6ns |
| Gate collector charge | 9nC |
| Current fall time 125c | 136ns |
| Current rise time 125c | 6.5ns |
| Turn on delay time 25c | 17ns |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Turn off delay time 25c | 72ns |
| Turn on delay time 125c | 16.5ns |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 15S |
| Gate emitter voltage max | ±20V |
| Pulsed collector current | 30A |
| Turn off delay time 125c | 106ns |
| Diode forward voltage 25c | 2V |
| Off voltage rise time 25c | 33ns |
| Reverse recovery time 25c | 22ns |
| Turn off latching current | 30A |
| Turn on current slope 25c | 655A/µs |
| Diode forward voltage 125c | 1.6V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 6.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 4.5V |
| Off voltage rise time 125c | 60ns |
| Reverse recovery time 125c | 35ns |
| Total switching losses 25c | 140µJ |
| Turn on current slope 125c | 575A/µs |
| Reverse recovery charge 25c | 14nC |
| Total power dissipation 25c | 65W |
| Total switching losses 125c | 249µJ |
| Collector cutoff current 25c | 150µA |
| Gate emitter leakage current | ±100nA |
| Испытательное напряжение изоляции | 2500V |
| Reverse recovery charge 125c | 40nC |
| Reverse recovery current 25c | 1.3A |
| Обратная проходная емкость | 8.5pF |
| Short circuit withstand time | 10µs |
| Turn on switching losses 25c | 55µJ |
| Описание (англ.) | IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| Collector cutoff current 125c | 1mA |
| Макс. напр. К-Э | 600V |
| Diode rms forward current 25c | 10A |
| Reverse recovery current 125c | 2.2A |
| Turn off switching losses 25c | 85µJ |
| Turn on switching losses 125c | 87µJ |
| Turn off switching losses 125c | 162µJ |
| Continuous collector current 25c | 20A |
| Continuous collector current 100c | 10A |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 600V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Неповторяющийся импульсный прямой ток | 20A |
| Thermal resistance junction case igbt | 1.9°C/W |
| Thermal resistance junction case diode | 4°C/W |
| Collector emitter saturation voltage 25c | 2.5V |
| Collector emitter saturation voltage 125c | 1.8V |
| Напряжение, В | 600 |
| Ток, А | 10 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?