Документация
Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
339 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:240 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 455,40 |
| от 10 | 420,20 |
Склад 13
В наличии:99 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 329,89 |
| от 8 | 310,65 |
| от 15 | 294,98 |
| от 29 | 283,33 |
| от 58 | 274,64 |
Описание
Биполярный транзистор IGBT от STMicroelectronics рассчитан на напряжение 440 В и ток до 20 А при мощности 125 Вт. Выполнен в корпусе D2Pak (TO-263) для поверхностного монтажа. Подходит для импульсных источников питания и силовых цепей промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Тип | IGBT |
| ЭСР HBM | 4kV |
| Корпус | D²PAK |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 1.4µs |
| Упаковка | Tape and reel |
| Размеры | Ширина: 10.0-10.4mm; Высота: 4.4-4.6mm; Длина: 8.95-9.35mm |
| Технология | PowerMESH |
| Описание | 10 A - 410 V internally clamped IGBT |
| Артикул | STGB10NB37LZT4 |
| Current pulsed | 40A |
| Delay time off | 8µs |
| Fall time tj125 | 2.8µs |
| Current rise time | 270ns |
| Вх. емкость | 1300pF |
| Рассеиваемая мощность | 125W |
| Полный заряд затвора | 28nC |
| Cross over time on | 3.6µs |
| Выходная емкость | 105pF |
| Время задержки включения | 1300ns |
| Cross over time off | 5.7µs |
| Delay time off tj125 | 9.2µs |
| Off voltage rise time | 2µs |
| Turn on current slope | 60A/µs |
| Gate threshold voltage | 0.6-2.2V |
| Total dissipation tc25 | 125W |
| Total switching losses | 7.4mJ |
| Gate emitter resistance | 20kΩ |
| Макс. темп. хр. | 175°C |
| Мин. темп. хр. | -65°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 18S |
| Gate emitter voltage min | 12V |
| Pulsed collector current | 40A |
| Single pulse energy tc25 | 300mJ |
| Turn on switching losses | 2.4mJ |
| Current turn off latching | 40A |
| Emitter collector voltage | 18V |
| Диап. темп. хр. | -65 to 175°C |
| Turn off latching current | 40A |
| Turn off switching losses | 5mJ |
| Voltage emitter collector | 18V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.2V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 0.6V |
| Switching energy total 25c | 7.4mJ |
| Off voltage rise time tj125 | 2.7µs |
| Switching energy total 125c | 11.3mJ |
| Gate emitter leakage current | ±700µA |
| Gate emitter voltage clamped | 16V |
| Обратная проходная емкость | 12pF |
| Switching energy turn on 25c | 2.4mJ |
| Total switching losses tj125 | 11.3mJ |
| Voltage gate emitter clamped | 12-16V |
| Описание (англ.) | IGBT 440V 20A 125W D2PAK |
| Макс. напр. К-Э | 440V |
| Collector emitter voltage min | 380V |
| Switching energy turn off 25c | 5mJ |
| Switching energy turn on 125c | 2.6mJ |
| Switching energy turn off 125c | 8.7mJ |
| Turn on switching losses tj125 | 2.6mJ |
| Turn off switching losses tj125 | 8.7mJ |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.2°C/W |
| Collector current continuous tc25 | 20A |
| Collector emitter voltage clamped | 410V |
| Current collector continuous tc25 | 20A |
| Voltage collector emitter clamped | 410V |
| Collector current continuous tc100 | 10A |
| Current collector continuous tc100 | 10A |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -40°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Collector cutoff current vce15 tj150 | 10µA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.2-1.8V |
| Collector cutoff current vce200 tj150 | 100µA |
| Unclamped inductive switching current | 13A |
| Collector emitter saturation voltage vge4 5 ic10 | 1.8V |
| Collector emitter saturation voltage vge4 5 ic20 | 1.3V |
| Collector emitter saturation voltage vge4 5 ic10 typ | 1.2V |
| Максимальное напряжение кэ ,В | 440 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 10 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?