Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 9A
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
250 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:250 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 130,48 |
| от 17 | 121,67 |
| от 34 | 114,49 |
| от 100 | 109,15 |
| от 150 | 105,16 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Рабочее напряжение 950 В, ток до 9 А, корпус TO-220FP. Подходит для импульсных блоков питания и преобразователей напряжения в промышленной электронике.
Технические характеристики
| Eas | 90mJ |
| Rthjc | 1.39°C/W |
| Tf тип. | 21ns |
| Макс. Tj | 150°C |
| Tj мин. | -55°C |
| Tr тип. | 12ns |
| Isd max | 9A |
| Корпус | TO-220FP |
| Qgd тип. | 7nC |
| Qgs тип. | 3nC |
| Qrr тип. | 4µC |
| Trr тип. | 372ns |
| Макс. Vds | 950V |
| Макс. Vgs | ±30V |
| VSD тип. | 1.6V |
| Тип. Ciss | 450pF |
| Coss тип. | 30pF |
| Тип. Crss | 1.6pF |
| Особенности | Worldwide best RDS(on), Worldwide best FOM, Ultra low gate charge, 100% avalanche tested, Zener-protected |
| Idss макс. | 1µA |
| Igss макс. | ±10µA |
| Тип. обратный ток | 22A |
| Тип монтажа | Выводной |
| Rthj pcb | 50°C/W |
| Макс. Tstg | 150°C |
| Мин. Tstg | -55°C |
| Co er typ | 19pF |
| Co tr typ | 45pF |
| Ток стока импульсный | 24A |
| Ptot tc25 | 90W |
| Td(вкл) тип. | 12ns |
| Rds(вкл) макс. | 1.25Ohm |
| Rds(вкл) тип. | 1Ohm |
| Td(выкл) тип. | 33ns |
| Технология | MDmesh K5 |
| Vgs порог макс. | 5V |
| Vgs порог мин. | 3V |
| Vgs(th) тип. | 4V |
| Описание | N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET |
| Isdm pulsed | 24A |
| Артикул | STF6N95K5 |
| Vbr gso min | ±30V |
| Применение | Switching applications |
| Тип. полный заряд затвора | 13nC |
| Qrr typ tj150 | 5µC |
| Trr typ tj150 | 522ns |
| Idss max tc125 | 50µA |
| Irrm typ tj150 | 20A |
| Rthj amb to247 | 50°C/W |
| I avalanche max | 3A |
| Тип транзистора | N-channel Power MOSFET |
| Rg intrinsic typ | 7Ohm |
| Id continuous tc25 | 9A |
| Id continuous tc100 | 6A |
| Rthj amb to220 ipak | 62.5°C/W |
| Dv dt diode recovery | 4.5V/ns |
| Rds on test conditions | VGS=10V, ID=3A |
| Dv dt mosfet ruggedness | 50V/ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 950V 9A TO-220FP |
Заметили ошибку в описании или параметрах?