Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 21A
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
76 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:76 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 223,23 |
| от 11 | 209,25 |
| от 22 | 197,88 |
| от 50 | 189,41 |
| от 100 | 183,09 |
Описание
Полевой MOSFET-транзистор N-канального типа от STMicroelectronics. Рабочее напряжение 500 В, ток до 21 А. Выпускается в изолированном корпусе TO-220FP. Подходит для импульсных блоков питания и преобразователей напряжения в промышленной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220FP |
| Тип монтажа | Выводной |
| Упаковка | трубка |
| Rds(вкл) макс. | 0.158Ω |
| Rds(вкл) тип. | 0.135Ω |
| Технология | MDmesh II |
| Vgs порог макс. | 4V |
| Vgs порог мин. | 2V |
| Vgs(th) тип. | 3V |
| Описание | N-channel 500V 21A MDmesh II Power MOSFET |
| Артикул | STF28NM50N |
| Fall time tf | 52ns |
| Rise time tr | 19ns |
| Тип транзистора | N-channel Power MOSFET |
| Total gate charge qg | 50nC |
| Avalanche current iar | 7.5A |
| Gate drain charge qgd | 25nC |
| Gate source charge qgs | 9.5nC |
| Input capacitance ciss | 1735pF |
| Rds on test conditions | VGS=10V, ID=10.5A |
| Vgs th test conditions | VDS=VGS, ID=250µA |
| Forward on voltage test | ISD=21A, VGS=0 |
| Gate source voltage vgs | ±25V |
| Output capacitance coss | 122pF |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Gate input resistance rg | 2.7Ω |
| Pulsed drain current idm | 84A |
| Source drain current isd | 21A |
| Storage temperature tstg | -55 to 150°C |
| Turn on delay time td on | 13.6ns |
| Avalanche test conditions | starting Tj=25°C, ID=IAR, VDD=50V |
| Drain source voltage vdss | 500V |
| Dv dt peak diode recovery | 15V/ns |
| Reverse recovery time trr | 326ns |
| Switching test conditions | VDD=250V, ID=10.5A, RG=4.7Ω, VGS=10V |
| Forward on voltage vsd max | 1.5V |
| Gate body leakage igss max | 100nA |
| Turn off delay time td off | 62ns |
| Zero gate voltage idss max | 1µA |
| Условия теста емкости | VDS=25V, f=1MHz, VGS=0 |
| Gate body leakage igss test | VGS=±25V |
| Gate charge test conditions | VDD=400V, ID=21A, VGS=10V |
| Reverse recovery charge qrr | 5µC |
| Total power dissipation 25c | 35W |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 500V 21A TO-220FP |
| Drain source voltage vdss max | 550V |
| Reverse recovery current irrm | 30A |
| Max lead soldering temperature | 300°C |
| Reverse recovery time trr 150c | 376ns |
| Continuous drain current id 25c | 21A |
| Zero gate voltage idss 125c max | 100µA |
| Continuous drain current id 100c | 13A |
| Insulation withstand voltage rms | 2500V |
| Reverse recovery charge qrr 150c | 6.2µC |
| Reverse recovery test conditions | ISD=21A, di/dt=100A/µs, VDD=400V |
| Source drain pulsed current isdm | 84A |
| Reverse transfer capacitance crss | 4.3pF |
| Single pulse avalanche energy eas | 300mJ |
| Reverse recovery current irrm 150c | 33.2A |
| Equivalent output capacitance cosseq | 418pF |
| Operating junction temperature tj max | 150°C |
| Reverse recovery test conditions 150c | ISD=21A, di/dt=100A/µs, VDD=400V, Tj=150°C |
| Thermal resistance junction case rthjc | 3.6°C/W |
| Thermal resistance junction ambient rthja | 62.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?