Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17А 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
16 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:16 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 183,09 |
| от 14 | 171,24 |
| от 27 | 161,58 |
| от 50 | 154,38 |
| от 150 | 149,02 |
Описание
Полевой N-канальный MOSFET-транзистор от STMicroelectronics. Работает при напряжении до 600 В и токе до 17 А, выпускается в изолированном корпусе TO-220FP. Подходит для импульсных источников питания и преобразователей в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Tf | 9ns |
| Tj | -55 to 150°C |
| Tr | 32ns |
| Isd | 17A |
| Заряд затвор-сток | 12.8nC |
| Заряд затвор-исток | 4.8nC |
| Vds | 600V |
| Vgs | ±25V |
| Vsd | 1.6V |
| Ciss | 960pF |
| Coss | 76pF |
| Crss | 4.5pF |
| IGSS | ±5µA |
| Tstg | -55 to 150°C |
| Td(вкл) | 17.7ns |
| Td(выкл) | 38.3ns |
| Coss eq | 181pF |
| Маркировка | 24N60M6 |
| Корпус | TO-220FP |
| Упаковка | трубка |
| Qrr 25c | 2.3µC |
| Trr 25c | 225ns |
| Vbr dss | 600V |
| Особенности | Reduced switching losses, Lower RDS(on) per area vs previous generation, Low gate input resistance, 100% avalanche tested, Zener-protected |
| Idss макс. | 1µA |
| Irrm 25c | 20.4A |
| Тип монтажа | Выводной |
| Qg total | 23nC |
| Qrr 150c | 3.85µC |
| Rthj amb | 62.5°C/W |
| Trr 150c | 387ns |
| Viso rms | 2500V |
| Irrm 150c | 25.1A |
| Кол-во выводов | 3-Pin(3+Tab) |
| Ptot tc25 | 30W |
| Rthj case | 4.2°C/W |
| Idm импульсный | 52.5A |
| Код заказа | STF24N60M6 |
| Rds(вкл) макс. | 190mΩ |
| Rds(вкл) тип. | 162mΩ |
| Технология | MDmesh M6 |
| Vgs порог макс. | 4.75V |
| Vgs порог мин. | 3.25V |
| Vgs(th) тип. | 4V |
| Isdm pulsed | 52.5A |
| Применение | Switching applications, LLC converters, Boost PFC converters |
| Channel type | N-channel |
| Rg intrinsic | 5Ω |
| Idss tc125 max | 100µA |
| Одиночный импульс EAS | 250mJ |
| Id continuous tc25 | 17A |
| Id continuous tc100 | 10.7A |
| Iar avalanche current | 3.2A |
| Dv dt mosfet ruggedness | 50V/ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Dv dt peak diode recovery | 15V/ns |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Заметили ошибку в описании или параметрах?