Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 17А 30Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
37 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:37 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 151,14 |
| от 10 | 148,87 |
| от 19 | 145,95 |
| от 38 | 141,90 |
| от 100 | 136,51 |
Описание
Полевой MOSFET-транзистор STF21N65M5 от STMicroelectronics — N-канальный ключ на напряжение 650 В и ток 17 А. Модель выполнена в изолированном корпусе TO-220F и отличается низким сопротивлением открытого канала (0,15 Ом) при мощности рассеивания 30 Вт. Подходит для импульсных блоков питания и преобразователей в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Маркировка | 21N65M5 |
| Корпус | TO-220FP |
| Тип монтажа | Выводной |
| Компонент | STF21N65M5 |
| Упаковка | трубка |
| Технология | MDmesh V |
| Dvdt capability | 15V/ns |
| Лавинный ток | 5A |
| Crossing time typ | 24ns |
| Рассеиваемая мощность | 30W |
| Gate resistance typ | 2.5Ω |
| Drain current pulsed | 68A |
| Напряжение сток-исток | 650V |
| Current fall time typ | 12ns |
| Тип. заряд затвор-сток | 23nC |
| Тип. входная емкость | 1950pF |
| Тип. заряд затвора | 50nC |
| Voltage rise time typ | 10ns |
| Тип. заряд затвор-исток | 13nC |
| Insulation voltage rms | 2500V |
| Выходная емкость тип. | 46pF |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±25V |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Switching test conditions | V_DD=400V, I_D=11A, R_G=4.7Ω, V_GS=10V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3V |
| Тип. пороговое Uзи | 4V |
| Условия теста емкости | V_DS=100V, f=1MHz, V_GS=0 |
| Gate charge test conditions | V_DD=520V, I_D=8.5A, V_GS=10V |
| Drain current continuous 25c | 17A |
| Описание (англ.) | N-channel 650 V, 0.150 Ohm, 17 A |
| Drain current continuous 100c | 10.7A |
| On resistance test conditions | V_GS=10V, I_D=8.5A |
| Reverse recovery time typ 25c | 294ns |
| Энергия одиноч. импульса | 400mJ |
| Макс. Rси вкл. | 0.179Ω |
| Drain source on resistance typ | 0.150Ω |
| Reverse recovery time typ 150c | 340ns |
| Reverse recovery charge typ 25c | 4µC |
| Reverse recovery charge typ 150c | 5µC |
| Reverse recovery current typ 25c | 28A |
| Обр. проходная емкость тип. | 3pF |
| Switching voltage delay time typ | 37ns |
| Reverse recovery current typ 150c | 29A |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 650V |
| Source drain diode forward current | 17A |
| Thermal resistance junction case max | 4.17°C/W |
| Source drain diode forward voltage typ | 1.5V |
| Thermal resistance junction ambient max | 62.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?