Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
326 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:326 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 100,43 |
| от 23 | 93,25 |
| от 50 | 87,39 |
| от 100 | 83,01 |
| от 200 | 79,74 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Выдерживает напряжение до 600 В и ток до 13 А при низком сопротивлении открытого канала 0,255 Ом. Выполнен в изолированном корпусе TO-220FP. Подходит для импульсных блоков питания и преобразователей в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Tstg | -55 to 150°C |
| Tf тип. | 10.6ns |
| Макс. Tj | 150°C |
| Tr тип. | 9ns |
| Маркировка | 18N60M2 |
| Корпус | TO-220FP |
| Qgd тип. | 11.3nC |
| Qgs тип. | 3.2nC |
| Макс. Vds | 650V |
| Макс. Vgs | ±25V |
| Тип. Ciss | 791pF |
| Coss тип. | 40pF |
| Тип. Crss | 5.6pF |
| Особенности | Extremely low gate charge, Lower RDS(on) x area vs previous generation, Low gate input resistance, 100% avalanche tested, Zener-protected |
| Igss макс. | ±10μA |
| Тип монтажа | Выводной |
| Ptot 25c | 25W |
| Viso rms | 2500V |
| Ток стока импульсный | 52A |
| Упаковка | трубка |
| Rthja max | 62.5°C/W |
| Rthjc max | 5°C/W |
| Td(вкл) тип. | 12ns |
| Isd pulsed | 52A |
| Rds(вкл) макс. | 0.28Ω |
| Rds(вкл) тип. | 0.255Ω |
| Td(выкл) тип. | 47ns |
| Технология | MDmesh II Plus low Qg |
| Vds rating | 600V |
| Vgs порог макс. | 4V |
| Vgs порог мин. | 2V |
| Vgs(th) тип. | 3V |
| Coss eq typ | 164.5pF |
| Описание | N-channel 600 V, 0.255 Ω typ., 13 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a TO-220FP package |
| Артикул | STF18N60M2 |
| Qrr typ 25c | 3.3μC |
| Trr typ 25c | 305ns |
| Vbr dss min | 600V |
| Применение | Switching applications, LLC converters, resonant converters |
| Макс. IDSS при 25°C | 1μA |
| Irrm typ 25c | 22A |
| Тип. полный заряд затвора | 21.5nC |
| Qrr typ 150c | 4.6μC |
| Trr typ 150c | 417ns |
| IDSS макс. 125°C | 100μA |
| Irrm typ 150c | 22A |
| Isd continuous | 13A |
| Vsd forward typ | 1.6V |
| Rg intrinsic typ | 5.6Ω |
| Ток стока непрерывный 25C | 13A |
| Непрерывный ток 100°C | 8A |
| Iavalanche repetitive | 3A |
| Dv dt mosfet ruggedness | 50V/ns |
| Eavalanche single pulse | 135mJ |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Dv dt peak diode recovery | 15V/ns |
| Описание (англ.) | N-channel 600 V, 0.255 O typ., 13 A MDmesh II Plus |
Заметили ошибку в описании или параметрах?