Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12А 0.299 Ом, 25Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
85 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:85 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 319,62 |
| от 3 | 314,97 |
| от 5 | 308,84 |
| от 10 | 299,85 |
| от 20 | 285,25 |
Описание
Полевой N-канальный MOSFET от STMicroelectronics на напряжение 650 В и ток 12 А. Выполнен в корпусе TO-220FP с низким сопротивлением открытого канала (типовое 0,23 Ом) и технологией MDmesh V для снижения потерь. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Корпус | ['TO-220FP', 'I2PAK', 'TO-220', 'IPAK', 'TO-247'] |
| Тип монтажа | Выводной |
| Id rating | 12A |
| Rds(вкл) макс. | 0.279Ω |
| Rds(вкл) тип. | 0.230Ω |
| Технология | MDmesh V |
| Vds rating | 650V |
| Производитель | STMicroelectronics |
| On resistance | 0.230Ω typ, 0.279Ω max |
| Лавинный ток | 4A |
| Заряд сток-затвор | 12nC |
| Вх. емкость | 1250pF |
| Рассеиваемая мощность | 90W |
| Полный заряд затвора | 31nC |
| Заряд затвор-исток | 8nC |
| Выходная емкость | 30pF |
| Диапазон температур хранения | -55 to 150°C |
| Напряжение затвор-исток | ±25V |
| Current drain pulsed | 48A |
| Drain current pulsed | 48A |
| Напряжение сток-исток | 650V |
| Voltage drain source | 650V |
| Gate threshold voltage | 3V min, 4V typ, 5V max |
| Avalanche energy single | 200mJ |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±25V |
| Current drain continuous | 12A |
| Power dissipation to220fp | 25W |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3V |
| Тип. пороговое Uзи | 4V |
| Operating junction temp max | 150°C |
| Drain current continuous 25c | 12A |
| Испытательное напряжение изоляции | 2500V |
| Обратная проходная емкость | 3pF |
| Drain current continuous 100c | 7.3A |
| Энергия одиноч. импульса | 200mJ |
| Lead temperature for soldering | 300°C |
| Resistance drain source on max | 0.279Ω |
| Resistance drain source on typ | 0.230Ω |
| Power dissipation other packages | 90W |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 5°C/W |
| Peak diode recovery voltage slope | 15V/ns |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Thermal resistance junction case other | 1.38°C/W |
| Thermal resistance junction ambient ipak | 100°C/W |
| Thermal resistance junction case to220fp | 5°C/W |
| Thermal resistance junction ambient other | 50°C/W |
| Thermal resistance junction ambient to220fp | 62.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?