Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12A 0.26Ом TO-220FP туба
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
90 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:90 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 172,05 |
| от 14 | 160,84 |
| от 28 | 151,70 |
| от 50 | 144,89 |
| от 150 | 139,81 |
Описание
Полевой MOSFET-транзистор N-канального типа от STMicroelectronics. Рабочее напряжение 600 В, ток до 12 А, сопротивление открытого канала 0,26 Ом. Выполнен в изолированном корпусе TO-220FP. Подходит для импульсных блоков питания и преобразователей напряжения в промышленной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Rg | 5.2Ω |
| Tf | 6.8ns |
| Tr | 7.6ns |
| Заряд затвор-сток | 9.4nC |
| Заряд затвор-исток | 3.5nC |
| Ciss | 575pF |
| Coss | 33pF |
| Crss | 3pF |
| Idss | 1µA |
| IGSS | ±5µA |
| Td(вкл) | 13ns |
| Td(выкл) | 19.8ns |
| Coss eq | 104pF |
| Маркировка | 16N60M6 |
| Корпус | TO-220FP |
| Упаковка | трубка |
| Макс. Vds | 600V |
| Макс. Vgs | ±25V |
| Тип монтажа | Выводной |
| Полярность | N-channel |
| Макс. Ptot | 25W |
| Qg total | 16.7nC |
| Ток стока импульсный | 32A |
| Idss 125c | 100µA |
| Rds(вкл) макс. | 0.32Ω |
| Rds(вкл) тип. | 0.26Ω |
| Технология | MDmesh M6 |
| Vbrdss min | 600V |
| Vgs порог макс. | 4.75V |
| Vgs порог мин. | 3.25V |
| Vgs(th) тип. | 4V |
| Описание | N-channel 600V, 0.26 Ohm typ, 12A MDmesh M6 Power MOSFET in TO-220FP package |
| Артикул | STF16N60M6 |
| Применение | Switching applications, LLC converters, Boost PFC converters |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Zener protected | Да |
| Avalanche energy | 110mJ |
| Лавинный ток | 2.5A |
| Ток стока непрерывный 25C | 12A |
| Напр. изоляции | 2.5kV |
| Непрерывный ток 100°C | 7.6A |
| Diode pulsed current | 32A |
| Напр. диода | 1.6V |
| Размеры корпуса мм | A: 4.4-4.6; B: 2.5-2.7; D: 2.5-2.75; E: 0.45-0.7; F: 0.75-1; G: 4.95-5.2; H: 10-10.4; F1: 1.15-1.70; F2: 1.15-1.70; G1: 2.4-2.7; L2: 16; L3: 28.6-30.6; L4: 9.8-10.6; L5: 2.9-3.6; L6: 15.9-16.4; L7: 9-9.3; Dia: 3-3.2 |
| Rds on test condition | VGS=10V, ID=6A |
| Mosfet dv/dt ruggedness | 50V/ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Diode continuous current | 12A |
| Peak diode recovery dv/dt | 15V/ns |
| Reverse recovery time 25c | 210ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Reverse recovery time 150c | 310ns |
| Reverse recovery charge 25c | 1.7µC |
| 100 percent avalanche tested | Да |
| Reverse recovery charge 150c | 3.2µC |
| Reverse recovery current 25c | 13.8A |
| Описание (англ.) | N-Channel 600V 12A 25W Through Hole TO-220FPAB-3 |
| Reverse recovery current 150c | 15.4A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 5°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?