Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 14A
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
101 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:101 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 315,58 |
| от 8 | 297,06 |
| от 16 | 281,97 |
| от 31 | 270,74 |
| от 50 | 262,38 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Рабочее напряжение 800 В, ток до 14 А, корпус TO-220FP. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Маркировка | 15N80K5 |
| Корпус | TO-220FP |
| Тип монтажа | Выводной |
| Описание | N-channel 800 V, 0.3 ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET |
| Артикул | STF15N80K5 |
| Тип. время спада | 10ns |
| Тип. время нарастания | 17.6ns |
| Package mechanical | TO-220FP |
| Current drain pulsed | 56A |
| Current avalanche max | 4A |
| Тип. заряд затвор-сток | 22nC |
| Тип. входная емкость | 1100pF |
| Мощн. рас. 25°C | 35W |
| Тип. заряд затвора | 32nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 6nC |
| Выходная емкость тип. | 85pF |
| Время задержки вкл. тип. | 19ns |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Время задержки выкл. тип. | 44ns |
| Voltage gate source max | ±30V |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Voltage drain source max | 800V |
| Тип. время восст. | 445ns |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3V |
| Тип. пороговое Uзи | 4V |
| Тип. заряд восст. | 8.2µC |
| Current drain continuous 25c | 14A |
| Reverse recovery current typ | 37A |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 800V 14A TO-220FP |
| Current drain continuous 100c | 8.8A |
| Gate body leakage current max | ±10µA |
| Intrinsic gate resistance typ | 4.5Ω |
| Макс. Rси вкл. | 0.375Ω |
| Drain source on resistance typ | 0.3Ω |
| Reverse recovery time 150c typ | 580ns |
| Insulation withstand voltage rms | 2500V |
| Reverse recovery charge 150c typ | 10µC |
| Обр. проходная емкость тип. | 1.5pF |
| Avalanche energy single pulse max | 150mJ |
| Gate source breakdown voltage min | 30V |
| Peak diode recovery voltage slope | 4.5V/ns |
| Reverse recovery current 150c typ | 35A |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Zero gate voltage drain current max | 1µA |
| Thermal resistance junction case max | 3.6°C/W |
| Source drain diode forward voltage max | 1.5V |
| Equivalent capacitance time related typ | 113pF |
| Thermal resistance junction ambient max | 62.5°C/W |
| Equivalent capacitance energy related typ | 49pF |
Заметили ошибку в описании или параметрах?