+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
STF14NM50N
Документация

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12А 25Вт

Артикул:808138
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
357 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:357 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1149,22
от 10146,99
от 19144,11
от 37140,14
от 100134,84
Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Рабочее напряжение 500 В, ток до 12 А, мощность рассеивания 25 Вт в корпусе TO-220FP. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.

Технические характеристики
ТипN-channel Power MOSFET
КорпусTO-220FP
Тип монтажаВыводной
РазмерыШирина корпуса: 4.6mm; Шаг выводов: 2.5mm; Высота корпуса: 9.3mm; Длина корпуса: 10.4mm
ТехнологияMDmesh II
АртикулSTF14NM50N
Тип. время спада22ns
Тип. время нарастания16ns
Рассеиваемая мощность25W
Avalanche energy max172mJ
Импульсный ток стока48A
Avalanche current max4A
Тип. заряд затвор-сток15nC
Тип. входная емкость816pF
Тип. заряд затвора27nC
Тип. заряд затвор-исток5nC
Выходная емкость тип.60pF
Время задержки вкл. тип.12ns
Напряжение затвор-исток макс.±25V
Макс. темп. хр.150°C
Мин. темп. хр.-55°C
Время задержки выкл. тип.42ns
Тип упаковкиTube (туба)
Макс. напряжение сток-исток500V
Тип. время восст.252ns
Пороговое напряжение затвора макс.4V
Пороговое напряжение затвора мин.2V
Тип. пороговое Uзи3V
Тип. заряд восст.2.8µC
On resistance test conditionVgs=10V, Id=6A
Описание (англ.)MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Continuous drain current at 25C12A
Continuous drain current at 100C8A
Insulation withstand voltage rms2500V
Обр. проходная емкость тип.3pF
Source drain forward voltage typ1.6V
Тепловое сопр. переход-корпус5°C/W
Мин. напряжение сток-исток пробоя500V
Макс. темп. перехода150°C
Мин. темп. перехода-55°C
Тепловое сопротивление переход-среда62.5°C/W
Макс. сопротивление сток-исток вкл.0.32Ω
Тип. сопротивление сток-исток0.28Ω

Заметили ошибку в описании или параметрах?