Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.28 Ом, 11А 25Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
432 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:432 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 95,90 |
| от 24 | 88,98 |
| от 50 | 83,33 |
| от 100 | 79,12 |
| от 200 | 75,97 |
Описание
Полевой MOSFET-транзистор N-канального типа от STMicroelectronics. Рассчитан на напряжение 600 В, ток до 11 А и мощность 25 Вт, сопротивление открытого канала — 0,28 Ом. Выполнен в изолированном корпусе TO-220F. Подходит для импульсных блоков питания и преобразователей напряжения в промышленной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220FP |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 10ns |
| Время нарастания | 8ns |
| Задержка включения | 3ns |
| Задержка выключения | 30ns |
| Avalanche energy | 200mJ |
| Лавинный ток | 3.5A |
| Напряжение пробоя | 600V |
| Заряд сток-затвор | 15nC |
| Вх. емкость | 790pF |
| Полный заряд затвора | 30nC |
| Заряд затвор-исток | 4nC |
| Выходная емкость | 60pF |
| Напряжение затвор-исток | ±25V |
| Темп. хранения | -55 to 150°C |
| Напряжение сток-исток | 600V |
| Импульсный ток стока | 44A |
| Gate input resistance | 4.7Ω |
| Общая рассеиваемая мощность | 25W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Continuous drain current | 11A |
| Forward voltage diode typ | 1.5V |
| Reverse recovery time 25c | 230ns |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2V |
| Тип. пороговое Uзи | 3V |
| Reverse recovery time 150c | 290ns |
| Reverse recovery charge 25c | 2µC |
| Reverse recovery charge 150c | 190µC |
| Reverse recovery current 25c | 18A |
| Обратная проходная емкость | 3.6pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
| Reverse recovery current 150c | 17A |
| Макс. Rси вкл. | 0.36Ω |
| Drain source on resistance typ | 0.28Ω |
| Рабочая температура перехода | -55 to 150°C |
| Thermal resistance junction pcb | 50°C/W |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 5°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?