Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7А 70Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
465 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:465 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 140,99 |
| от 10 | 138,83 |
| от 20 | 136,05 |
| от 40 | 132,17 |
| от 80 | 127,04 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Рабочее напряжение 650 В, ток до 7 А, мощность рассеивания 70 Вт. Выполнен в компактном корпусе DPAK/TO-252AA. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | N-channel Power MOSFET |
| Маркировка | 8N65M5 |
| Корпус | DPAK |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 11ns |
| Упаковка | Tape and reel |
| Время нарастания | 14ns |
| Cross time | 20ns |
| Код заказа | STD8N65M5 |
| Технология | MDmesh V |
| Лавинный ток | 2A |
| Заряд сток-затвор | 6nC |
| Полный заряд затвора | 15nC |
| Forward on voltage | 1.5V |
| Заряд затвор-исток | 3.6nC |
| Время задержки выключения | 50ns |
| Drain current pulsed | 28A |
| Source drain current | 7A |
| Мощн. рас. 25°C | 70W |
| Input capacitance ciss | 690pF |
| Output capacitance coss | 18pF |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Intrinsic gate resistance | 2.4Ω |
| Reverse recovery time 25c | 200ns |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3V |
| Тип. пороговое Uзи | 4V |
| Reverse recovery time 150c | 263ns |
| Gate source voltage vgs max | ±25V |
| Reverse recovery charge 25c | 1.6µC |
| Source drain current pulsed | 28A |
| Drain current continuous 25c | 7A |
| Drain source voltage vds max | 650V |
| Reverse recovery charge 150c | 1.9µC |
| Reverse recovery current 25c | 16A |
| Описание (англ.) | N-MOS+D 650V, 7A, 70W |
| Drain current continuous 100c | 4.4A |
| Reverse recovery current 150c | 15A |
| Энергия одиноч. импульса | 120mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 650V |
| Thermal resistance junction pcb | 50°C/W |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.79°C/W |
| Peak diode recovery voltage slope | 15V/ns |
| Reverse transfer capacitance crss | 2pF |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Макс. сопротивление сток-исток вкл. | 0.6Ω |
| Тип. сопротивление сток-исток | 0.56Ω |
| Equivalent output capacitance time related | 52pF |
| Equivalent output capacitance energy related | 17pF |
Заметили ошибку в описании или параметрах?