+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
STD7NM60N
Документация

Транзистор полевой STD7NM60N / N-канал, DPAK (TO-252), 4.7А, 600В

Артикул:725971
У поставщика
У поставщиков
1 808 шт.
Норм. уп.: 2500
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 828,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 472,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
15 шт · Склад 13 · 828,00 ₽
Описание

Транзистор полевой (MOSFET) N-канального типа от STMicroelectronics. Модель STD7NM60N выполнена в компактном корпусе DPAK (TO-252) и рассчитана на рабочее напряжение до 600 В. Благодаря технологии MDmesh™ обеспечивает низкое сопротивление открытого канала и высокую эффективность. Применяется в импульсных источниках питания, блоках питания светодиодов и цепях коррекции коэффициента мощности.

Технические характеристики
ТипN-channel Power MOSFET
БрендSTMicroelectronics
КорпусDPAK (TO-252)
Тип монтажаSMD
ПолярностьN-канальный
Время спада12ns
Время нарастания10ns
ТехнологияMDmesh second generation
АртикулSTD7NM60N
Энергия лавины119mJ
Вх. емкость363pF
Рассеиваемая мощность45W
Полный заряд затвора14nC
Выходная емкость24.6pF
Время задержки включения7ns
Напряжение затвор-исток±25V
Время задержки выключения26ns
Импульсный ток стока20A
Напряжение сток-исток600V
Пороговое напряжение затвора2-4V
Тип упаковкиЛента и катушка (лента в катушке)
Непрерывный ток стока5A
Диапазон темп. перехода-55 to 150°C
Обратная проходная емкость1.1pF
Описание (англ.)MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Макс. Rси вкл.0.9Ω
Тип. сопротивление сток-исток0.84Ω
Тепловое сопр. переход-корпус2.78°C/W
Тепловое сопротивление переход-среда100°C/W
Напряжение, В600
Ток, А7

Заметили ошибку в описании или параметрах?