Транзисторы и сборки MOSFET STD7N65M2
У поставщика
ПроизводительST
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
454 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:454 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 57,27 |
Описание
N-канальный MOSFET-транзистор от ST с рабочим напряжением 650 В и током до 5 А. Выполнен в поверхностном монтаже, корпус DPAK (TO-252). Отличается низким сопротивлением открытого канала (до 1,15 Ом) и малым зарядом затвора, что упрощает схему управления. Подходит для импульсных источников питания, блоков питания LED и другой силовой электроники.
Технические характеристики
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Описание | MOSFET N-CH 650V 5A DPAK |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.15Ohm @ 2.5A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270 pF @ 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Корпус | DPAK |
| Напряжение, В | 650 |
| Ток, А | 5 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?