Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 5A
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
4 843 шт.
Норм. уп.: 20
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:4 353 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 46,00 |
| от 28 | 44,92 |
| от 56 | 43,44 |
| от 112 | 41,40 |
| от 224 | 39,16 |
Склад 12
В наличии:490 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 20
Минимальная партия: 9 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 32,09 |
| от 20 | 27,13 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от STMicroelectronics. Выдерживает напряжение до 525 В и ток до 5 А, выпускается в компактном корпусе DPAK (TO-252AA). Подходит для импульсных источников питания и схем управления нагрузкой в промышленной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Ptot | 25 W |
| Тип | N-channel Power MOSFET |
| Серия | SuperMESH3 |
| Маркировка | 6N52K3 |
| Корпус | DPAK (TO-252) |
| Макс. Vds | 525 V |
| Макс. Vgs | ±30 V |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 18 ns |
| Ток стока импульсный | 20 A |
| Упаковка | Tape and reel |
| Rdson max | 1.2 Ω |
| Rdson typ | 1 Ω |
| Время нарастания | 11 ns |
| Технология | SuperMESH3 |
| Vgs порог макс. | 4.5 V |
| Vgs порог мин. | 3 V |
| Vgs(th) тип. | 3.75 V |
| Описание | N-channel 525V, 1Ω, 5A, DPAK SuperMESH3 Power MOSFET |
| Diode dv dt | 12 V/ns |
| Артикул | STD6N52K3 |
| Fall time tf | 18ns |
| Rise time tr | 11ns |
| Rdson condition | Vgs=10V, Id=2.5A |
| Тип транзистора | N-channel MOSFET |
| Лавинный ток | 2.5 A |
| Заряд сток-затвор | 15 nC |
| Ток стока непрерывный 25C | 5 A |
| Вх. емкость | 670 pF |
| Полный заряд затвора | 26 nC |
| Заряд затвор-исток | 4 nC |
| Непрерывный ток 100°C | 3 A |
| Выходная емкость | 54 pF |
| Время задержки включения | 10 ns |
| Условия переключения | Vdd=260V, Id=2.5A, Rg=4.7Ω, Vgs=10V |
| Время задержки выключения | 31 ns |
| Total gate charge qg | 26nC |
| Avalanche current iar | 2.5A |
| Capacitance condition | Vds=50V, f=1MHz, Vgs=0 |
| Напр. диода | 1.5 V |
| Gate charge condition | Vdd=420V, Id=5A, Vgs=10V |
| Gate drain charge qgd | 15nC |
| Forward on voltage vsd | 1.5V |
| Gate source charge qgs | 4nC |
| Input capacitance ciss | 670pF |
| Power dissipation tc25 | 25W |
| Rds on test conditions | VGS=10V, ID=2.5A |
| Gate source voltage vgs | ±30V |
| Output capacitance coss | 54pF |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Drain current pulsed idm | 20A |
| Peak diode recovery dvdt | 12V/ns |
| Source drain current isd | 5A |
| Turn on delay time td on | 10ns |
| Drain source voltage vdss | 525V |
| Reverse recovery time trr | 206ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150 °C |
| Температура пайки выводов | 300 °C |
| Turn off delay time td off | 31ns |
| Reverse recovery charge qrr | 1.4µC |
| Испытательное напряжение изоляции | 2500 V |
| Intrinsic gate resistance rg | 4Ω |
| Обратная проходная емкость | 10 pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 525V 5A DPAK |
| Drain current continuous tc25 | 5A |
| Gate source breakdown voltage | 30 V |
| Reverse recovery current irrm | 14A |
| Энергия одиноч. импульса | 110 mJ |
| Drain current continuous tc100 | 3A |
| Gate body leakage current igss | ±10µA |
| Max lead soldering temperature | 300°C |
| Diode reverse recovery time 25c | 206 ns |
| Reverse recovery time trr tj150 | 233ns |
| Thermal resistance junction pcb | 50 °C/W |
| Diode reverse recovery time 150c | 233 ns |
| Gate threshold voltage vgsth max | 4.5V |
| Gate threshold voltage vgsth min | 3V |
| Gate threshold voltage vgsth typ | 3.75V |
| Source drain current pulsed isdm | 20A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 5°C/W |
| Diode reverse recovery charge 25c | 1.4 µC |
| Insulation withstand voltage viso | 2500V |
| Operating junction temperature tj | 150°C |
| Reverse recovery charge qrr tj150 | 1.7µC |
| Reverse transfer capacitance crss | 10pF |
| Single pulse avalanche energy eas | 110mJ |
| Diode reverse recovery charge 150c | 1.7 µC |
| Diode reverse recovery current 25c | 14 A |
| Макс. темп. перехода | 150 °C |
| Diode reverse recovery current 150c | 15 A |
| Reverse recovery current irrm tj150 | 15A |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5 °C/W |
| Zero gate voltage drain current idss | 1µA |
| Drain source breakdown voltage vbrdss | 525V |
| Gate source zener breakdown voltage bvgso | 30V |
| Zero gate voltage drain current idss tc125 | 50µA |
| Static drain source on resistance rds on max | 1.2Ω |
| Static drain source on resistance rds on typ | 1Ω |
| Обратное напряжение, В | 525 |
| Ток, А | 6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?