Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 70Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 949 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 949 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 67,53 |
| от 58 | 62,78 |
| от 116 | 59,01 |
| от 232 | 55,69 |
| от 464 | 53,48 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Рабочее напряжение до 525 В, ток 4,4 А, мощность рассеивания 70 Вт в компактном корпусе DPAK. Подходит для импульсных источников питания и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Маркировка | 5N52K3 |
| Корпус | DPAK |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 16ns |
| Упаковка | Tape and reel |
| Время нарастания | 11ns |
| Avalanche energy | 100mJ |
| Лавинный ток | 2.2A |
| Заряд сток-затвор | 10nC |
| Вх. емкость | 545pF |
| Рассеиваемая мощность | 70W |
| Полный заряд затвора | 17nC |
| Forward on voltage | 1.6V |
| Заряд затвор-исток | 3nC |
| Выходная емкость | 45pF |
| Время задержки включения | 9ns |
| Время задержки выключения | 29ns |
| Voltage gate source | ±30V |
| Current drain pulsed | 17.6A |
| Source drain current | 4.4A |
| Voltage drain source | 525V |
| Gate input resistance | 4.7Ω |
| Время обратного восстановления | 210ns |
| Заряд обратного восстановления | 1.3µC |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Reverse recovery current | 12A |
| Gate body leakage current | 10µA |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3V |
| Тип. пороговое Uзи | 3.75V |
| Reverse recovery time 150c | 240ns |
| Source drain current pulsed | 17.6A |
| Current drain continuous 25c | 4.4A |
| Reverse recovery charge 150c | 1.6µC |
| Обратная проходная емкость | 8pF |
| Описание (англ.) | N-channel 525 V, 1.2 Ohm, 4.4 A |
| Current drain continuous 100c | 2.77A |
| Equivalent output capacitance | 33pF |
| Gate source breakdown voltage | 30V |
| Reverse recovery current 150c | 13A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 525V |
| Insulation withstand voltage ac | 2500V |
| Thermal resistance junction pcb | 30°C/W |
| Zero gate voltage drain current | 1µA |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.79°C/W |
| Peak diode recovery voltage slope | 12V/ns |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Zero gate voltage drain current 125c | 50µA |
| Макс. сопротивление сток-исток вкл. | 1.5Ω |
| Тип. сопротивление сток-исток | 1.2Ω |
Заметили ошибку в описании или параметрах?