+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Главная›Транзисторы›Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)›STD4NK60ZT4
STD4NK60ZT4
Документация
Даташит

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 70Вт

Артикул:808100
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
10 498 шт.
Норм. уп.: 25
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 12срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии2 700 шт
от 1 100 штюрлицам и ИП
продаётся от 1 100 штпри 1 100 — 25,44 ₽
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 807,90 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 492,10 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
30 шт · Склад 13 · 807,90 ₽
Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Работает при напряжении до 600 В, токе до 4 А и рассеивает мощность до 70 Вт. Выпускается в компактном корпусе DPAK. Подходит для импульсных блоков питания и преобразователей напряжения в промышленной и бытовой электронике.

Технические характеристики
ТипN-channel Power MOSFET
Тип. заряд затвора18.8nC
КорпусDPAK
ОсобенностиExtremely high dv/dt capability, 100% avalanche tested, Gate charge minimized, Zener-protected
Тип монтажаSMD
Idss tc12550uA
Rds(вкл) макс.2 Ohm
Rds(вкл) тип.1.7 Ohm
ТехнологияSuperMESH
ОписаниеN-channel 600 V, 1.7 Ohm typ., 4 A SuperMESH Power MOSFET
АртикулSTD4NK60ZT4
ПрименениеSwitching applications
Время спада16.5ns
Время нарастания9.5ns
Тип. время спада16.5ns
Тип. время нарастания9.5ns
Power total 25C70W
Тип транзистораN-channel Power MOSFET
Лавинный ток4A
Gate source zenerbuilt-in back-to-back Zener diodes
Размеры упаковкиE: 2.54mm; A max: 4.60mm; D max: 9.35mm; D min: 8.95mm; E max: 10.40mm; E min: 10.00mm; B max: 0.93mm; B min: 0.70mm; C max: 0.60mm; C min: 0.45mm; A1 max: 0.23mm; A1 min: 0.03mm; D1 max: 8.00mm; D1 min: 7.50mm; D1 typ: 7.75mm; D2 max: 1.50mm; D2 min: 1.10mm; D2 typ: 1.30mm; E1 max: 8.90mm; E1 min: 8.50mm; E1 typ: 8.70mm; E2 max: 7.25mm; E2 min: 6.85mm; E2 typ: 7.05mm; B2 max: 1.70mm; B2 min: 1.14mm; C2 max: 1.36mm; C2 min: 1.23mm; E1 max: 5.28mm; E1 min: 4.88mm
Tc cross over time19.5ns
Cross over time typ19.5ns
Eas test conditionsTj=25C, ID=IAR, VDD=50V
Esd gate source hbm3kV
Задержка включения, td on12ns
Vsd test conditionsISD=4A, VGS=0V
Импульсный ток стока16A
Напряжение сток-исток600V
ESD HBM3kV
Idss test conditionsVGS=0V, VDS=600V
Igss test conditionsVDS=0V, VGS=+/-20V
Полный заряд затвора Qg26nC
Test condition diodeISD=4A, di/dt=100A/µs, VDD=24V, Tj=150°C
Условия испытаний диодаISD=4A, di/dt=100A/us, VDD=24V, Tj=150C
Тип. заряд затвор-сток9.8nC
Лавинный ток, IAR4A
Тип. входная емкость510pF
Заряд затвор-сток Qgd9.8nC
Задержка выключения, td off29ns
Test condition rds onVGS=10V, ID=2A
Заряд затвора макс.26nC
Тип. заряд затвора18.8nC
Входная емкость Ciss510pF
Тип. заряд затвор-исток3.8nC
Igss gate body leakage+/-10uA
Выходная емкость тип.67pF
Заряд затвор-исток Qgs3.8nC
Условия измерения сопротивления сток-истокVGS=10V, ID=2A
Tr inductive fall time12ns
Время задержки вкл. тип.12ns
Vgs th test conditionsVDS=VGS, ID=50uA
Vsd forward on voltage1.6V
Выходная емкость Coss67pF
Fall time inductive typ12ns
Напряжение затвор-исток макс.±30V
Макс. темп. хр.150°C
Мин. темп. хр.-55°C
Время задержки выкл. тип.29ns
Vbr dss test conditionsVGS=0V, ID=1mA
Vbr gso test conditionsIGS=+/-1mA, ID=0A
Vgs gate source voltage+/-30V
Тип упаковкиЛента и катушка (лента в катушке)
Avalanche test conditionstarting Tj=25°C, ID=IAR, VDD=50V
Idm drain current pulsed16A
Isd source drain current4A
Tstg storage temperature-55 to 150 C
Vds drain source voltage600V
Тип. прямое напряжение диода1.6V
Пиковое dv/dt восстановления диода4.5V/ns
Ток утечки затвор-подложка±10µA
Off voltage rise time typ12ns
Тип. время восст.400ns
Время обратного восстановления400ns
Vgs th gate threshold max4.5V
Vgs th gate threshold min3V
Vgs th gate threshold typ3.75V
Diode forward voltage testISD=4A, VGS=0V
Пороговое напряжение затвора макс.4.5V
Пороговое напряжение затвора мин.3V
Тип. пороговое Uзи3.75V
Усл. изм. емк.VDS=25V, f=1MHz, VGS=0V
Test condition gate chargeVDD=480V, ID=4A, VGS=0 to 10V
Условия теста емкостиVDS=25V, f=1MHz, VGS=0V
Условия измерения заряда затвораVDD=480V, ID=4A, VGS=0 to 10V
Ptot total dissipation tc2570W
Заряд обратного восстановления1.7uC
Тип. заряд восст.1.7µC
Rthj amb thermal resistance100 C/W
Drain current continuous 25C4A
Idss zero gate drain current1uA
Тип. ток обратного восстановления8.5A
Rthj case thermal resistance1.79 C/W
Описание (англ.)MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Drain current continuous 100C2.5A
Напряжение пробоя затвор-исток±30V
Irrm reverse recovery current8.5A
Энергия одиноч. импульса120mJ
Tr voff off voltage rise time12ns
Макс. Rси вкл.2Ω
Тип. сопротивление сток-исток1.7Ω
Vbr dss drain source breakdown600V
Id drain current continuous tc254A
Isdm source drain current pulsed16A
Обр. проходная емкость тип.13pF
Тепловое сопр. переход-корпус1.79°C/W
Обр. проходная емкость Crss13pF
Энергия одиночного лавинного импульса120mJ
Equivalent output capacitance typ38.5pF
Id drain current continuous tc1002.5A
Peak diode recovery voltage slope4.5V/ns
Tj operating junction temperature-55 to 150 C
Vbr gso gate source zener voltage+/-30V
Макс. темп. перехода150°C
Мин. темп. перехода-55°C
Test condition switching inductiveVDD=480V, ID=4A, RG=4.7Ω, VGS=10V
Test condition switching resistiveVDD=300V, ID=2A, RG=4.7Ω, VGS=10V
Switching test conditions inductiveVDD=480V, ID=4A, RG=4.7 Ohm, VGS=10V
Switching test conditions resistiveVDD=300V, ID=2A, RG=4.7 Ohm, VGS=10V
Тепловое сопротивление переход-среда100°C/W
Zero gate voltage drain current 25C1µA
Zero gate voltage drain current 125C50µA
Coss eq equivalent output capacitance38.5pF
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт70
Напряжение, В600
Ток, А4

Заметили ошибку в описании или параметрах?