Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
20 шт.
Норм. уп.: 2500
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт35,95 ₽
Сумма719,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии20 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 20 штюрлицам и ИП
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 719,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 581,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
20 шт · Склад 13 · 719,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Рабочее напряжение до 620 В, ток стока 3,8 А, сопротивление открытого канала 1,7 Ом. Выполнен в компактном корпусе DPAK. Подходит для импульсных источников питания и схем промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Маркировка | 4N62K3 |
| Корпус | DPAK (TO-252) |
| Упаковка | лента и катушка |
| Макс. Vds | 620V |
| Макс. Vgs | ±30V |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | STD4N62K3 |
| Время спада | 19ns |
| Время нарастания | 9ns |
| Скорость нарастания, пик. | 12V/ns |
| Rds(вкл) макс. | 2Ω |
| Rds(вкл) тип. | 1.7Ω |
| Описание | N-channel 620 V MDmesh K3 Power MOSFET |
| Лавинный ток | 3.8A |
| Рассеиваемая мощность | 70W |
| Время задержки включения | 10ns |
| Esd gate source hbm | 2.5kV |
| Время задержки выключения | 29ns |
| Импульсный ток стока | 15.2A |
| Rdson test condition | VGS=10V, ID=1.9A |
| Source drain current | 3.8A |
| Общий заряд затвора (Qg) | 22nC |
| Напр. диода | 1.6V |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 13nC |
| Время обратного восстановления | 220ns |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 4nC |
| Входная ёмкость Ciss | 550pF |
| Выходная ёмкость Coss | 42pF |
| Заряд обратного восстановления | 1.4µC |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Обратный ток восстановления | 13A |
| Ток утечки затвор-подложка | ±10µA |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3V |
| Тип. пороговое Uзи | 3.75V |
| Reverse recovery time 150c | 270ns |
| Gate source zener breakdown | ±30V |
| Source drain current pulsed | 15.2A |
| Непрерывный ток стока, 25 °C | 3.8A |
| Reverse recovery charge 150c | 1.9µC |
| Описание (англ.) | N-channel 620 V, 1.7 Ohm, 3.8 A |
| Энергия лавины, одиночный импульс | 115mJ |
| Непрерывный ток стока, 100 °C | 2A |
| Intrinsic gate resistance max | 10Ω |
| Intrinsic gate resistance typ | 5Ω |
| Reverse recovery current 150c | 14A |
| Thermal resistance junction pcb | 50°C/W |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | 1µA |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.79°C/W |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 7pF |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 620V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Ток стока при нулевом затворе, 125 °C | 50µA |
| Equivalent output capacitance coss eq | 27pF |
| Напряжение, В | 620 |
| Ток, А | 4 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?