Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 40A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
3 265 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:3 265 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 359,95 |
| от 13 | 341,32 |
| от 25 | 326,54 |
| от 50 | 313,54 |
| от 100 | 304,75 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канального типа от STMicroelectronics. Рабочее напряжение до 80 В, ток до 40 А, корпус DPAK (TO-252AA) с двумя выводами и теплоотводящей подложкой. Подходит для применения в автомобильной электронике и силовых цепях управления.
Технические характеристики
| Doc id | DocID029583 Rev 1 |
| Tf тип. | 34.5ns |
| Tr тип. | 28.5ns |
| Маркировка | 40P8F6 |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Упаковка | Tape and reel |
| Qgd тип. | 18nC |
| Qgs тип. | 17.1nC |
| Qrr тип. | 44nC |
| Trr тип. | 35ns |
| Vsd макс. | -1.2V |
| Тип. Ciss | 4112pF |
| Coss тип. | 366pF |
| Тип. Crss | 188pF |
| Особенности | Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified, Very low on-resistance, Very low gate charge, High avalanche ruggedness, Low gate drive power loss |
| Idss макс. | -1µA |
| Igss макс. | ±100nA |
| Тип. обратный ток | -2.5A |
| Тип монтажа | SMD |
| Кол-во выводов | 3-Pin(2+Tab) |
| Td(вкл) тип. | 17.5ns |
| Rds(вкл) макс. | 28mΩ |
| Rds(вкл) тип. | 18.5mΩ |
| Td(выкл) тип. | 68.5ns |
| Технология | STripFET™ F6 |
| Vgs порог макс. | -4V |
| Vgs порог мин. | -2V |
| Описание | Automotive-grade P-channel -80 V, 18.5 mΩ typ., -40 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a DPAK package |
| Isdm pulsed | -160A |
| Артикул | STD40P8F6AG |
| Vbr dss min | -80V |
| Применение | Switching applications |
| Avalanche id | -40A |
| Channel type | P-channel |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Тип. полный заряд затвора | 73nC |
| Avalanche vdd | -60V |
| Base quantity | 2500 |
| Bulk quantity | 2500 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Дата даташита | 19-Jul-2016 |
| Idss max tc125 | -10µA |
| Isd continuous | -40A |
| Datasheet revision | 1 |
| Reel dimensions mm | A: 330; B: 1.5; D: 20.2; N: 50; T: 22.4; C max: 13.2; C min: 12.8; G max: 18.4; G min: 16.4 |
| Tape dimensions mm | R: 40; B1: 12.1; D1: 1.5; D max: 1.6; D min: 1.5; E max: 1.85; E min: 1.65; F max: 7.6; F min: 7.4; T max: 0.35; T min: 0.25; W max: 16.3; W min: 15.7; A0 max: 7; A0 min: 6.8; B0 max: 10.6; B0 min: 10.4; K0 max: 2.75; K0 min: 2.55; P0 max: 4.1; P0 min: 3.9; P1 max: 8.1; P1 min: 7.9; P2 max: 2.1; P2 min: 1.9 |
| Vsd test conditions | VGS = 0V, ISD = -40A |
| Idss test conditions | VGS = 0V, VDS = -60V |
| Igss test conditions | VDS = 0V, VGS = ±20V |
| Avalanche starting tj | 25°C |
| Размеры корпуса мм | R: 0.20; A max: 2.40; A min: 2.20; D max: 6.20; D min: 6.00; E max: 6.60; E min: 6.40; H max: 10.10; H min: 9.35; L max: 1.50; L min: 1.00; B max: 0.90; B min: 0.64; C max: 0.60; C min: 0.45; E max: 2.40; E min: 2.16; E typ: 2.28; A1 max: 1.10; A1 min: 0.90; A2 max: 0.23; A2 min: 0.03; D1 max: 5.25; D1 min: 4.95; D1 typ: 5.10; E1 max: 5.30; E1 min: 5.10; E1 typ: 5.20; L1 max: 3.00; L1 min: 2.60; L1 typ: 2.80; L2 max: 0.95; L2 min: 0.65; L2 typ: 0.80; L4 max: 1.00; L4 min: 0.60; V2 max: 8°; V2 min: 0°; B4 max: 5.40; B4 min: 5.20; C2 max: 0.60; C2 min: 0.48; E1 max: 4.60; E1 min: 4.40 |
| Rds on test conditions | VGS = -10V, ID = -20A |
| Total dissipation tc25 | 100W |
| Vgs th test conditions | VDS = VGS, ID = -250µA |
| Gate source voltage vgs | ±20V |
| Vbr dss test conditions | VGS = 0V, ID = -1mA |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Drain current pulsed idm | -160A |
| Drain source voltage vds | -80V |
| Диап. темп. хр. | -55 to 175°C |
| Switching test conditions | VDD = -40V, ID = -20A, RG = 4.7Ω, VGS = -10V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 175°C |
| Условия теста емкости | VDS = -25V, f = 1MHz, VGS = 0V |
| Gate charge test conditions | VDD = -40V, ID = -40A, VGS = -10V |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 80V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Drain current continuous tc25 | -40A |
| Diode recovery test conditions | ISD = -40A, di/dt = 100A/µs, VDD = -64V |
| Drain current continuous tc100 | -28A |
| Thermal resistance junction pcb | 50°C/W |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.5°C/W |
| Single pulse avalanche energy eas | 240mJ |
| Обратное напряжение, В | 80 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?