Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35А 0.022 Ом, 70Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 916 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 256 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 107,48 |
| от 39 | 100,56 |
| от 78 | 95,06 |
| от 156 | 90,24 |
| от 312 | 87,00 |
Склад 12
В наличии:660 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 360 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 124,20 |
| от 10 | 84,15 |
| от 100 | 78,69 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Выдерживает напряжение до 60 В, ток до 35 А и мощность 70 Вт, сопротивление открытого канала — всего 0,022 Ом. Выпускается в компактном корпусе DPAK. Подходит для применения в автомобильной электронике и промышленных устройствах коммутации.
Технические характеристики
| Qg | 23 nC |
| Tf | 25 ns |
| Tj | 175 °C |
| Tr | 105 ns |
| Eas | 150 mJ |
| GFS | 25 S |
| Isd | 35A |
| Заряд затвор-сток | 10 nC |
| Заряд затвор-исток | 7 nC |
| Заряд обратного восстановления | 140 nC |
| TRR | 70 ns |
| Vgs | ±20V |
| Vsd | 1.5V |
| Ciss | 1600 pF |
| Coss | 215 pF |
| Crss | 60 pF |
| I ar | 35A |
| Irrm | 4A |
| Tstg | -55 to 175 °C |
| Тип | N-Channel Power MOSFET |
| Vdgr | 60V |
| Напряжение сток-исток | 60V |
| Dv dt | 25 V/ns |
| Td(вкл) | 30 ns |
| Rth JA | 100 °C/W |
| Rth jc | 2.14 °C/W |
| Серия | STripFET |
| Td(выкл) | 65 ns |
| Корпус | DPAK/IPAK |
| Тип монтажа | SMD |
| Ptot tc25 | 70W |
| Idm импульсный | 140A |
| Rds(вкл) тип. | 0.022 Ohm |
| Vgs порог макс. | 2.5V |
| Vgs порог мин. | 1V |
| Vgs(th) тип. | 1.7V |
| Описание | N-CHANNEL 60V - 0.022 - 35A DPAK/IPAK STripFET POWER MOSFET |
| Isdm pulsed | 140A |
| Артикул | STD30NF06LT4 |
| Применение | HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS, MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS, DC-DC & DC-AC CONVERTERS, AUTOMOTIVE |
| Tl soldering | 275 °C |
| Тип. время спада | 25ns |
| Тип монтажа | SMD |
| Тип. время нарастания | 105ns |
| Order suffix 1 | IPAK |
| Коэф. сниж. | 0.46W/°C |
| Order suffix t4 | Tape & Reel |
| Rds on max vgs5 | 0.03 Ohm |
| Rds on typ vgs5 | 0.025 Ohm |
| Rds on max vgs10 | 0.028 Ohm |
| Id continuous tc25 | 35A |
| Макс. высота корпуса | 2.40mm |
| Package height min | 2.20mm |
| Id continuous tc100 | 25A |
| Drain current pulsed | 140A |
| Напряжение сток-исток | 60V |
| Тип. заряд затвор-сток | 10nC |
| Тип. входная емкость | 1600pF |
| Заряд затвора макс. | 31nC |
| Тип. заряд затвора | 23nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 7nC |
| Logic level gate drive | Да |
| Выходная емкость тип. | 215pF |
| Package body width max | 6.60mm |
| Package body width min | 6.40mm |
| Время задержки вкл. тип. | 30ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Package body length max | 6.20mm |
| Package body length min | 6.00mm |
| Время задержки выкл. тип. | 65ns |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Gate body leakage current | ±100nA |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 25V/ns |
| Тип. время восст. | 70ns |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1V |
| Тип. пороговое Uзи | 1.7V |
| Температура пайки выводов | 275°C |
| Тип. заряд восст. | 140nC |
| Source drain current pulsed | 140A |
| Total power dissipation 25c | 70W |
| Avalanche current repetitive | 35A |
| Drain current continuous 25c | 35A |
| Forward transconductance typ | 25S |
| Reverse recovery current typ | 4A |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 60V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Drain current continuous 100c | 25A |
| Энергия одиноч. импульса | 150mJ |
| Source drain current continuous | 35A |
| Обр. проходная емкость тип. | 60pF |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 60V |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Source drain forward on voltage typ | 1.5V |
| Zero gate voltage drain current 25c | 1µA |
| Thermal resistance junction case max | 2.14°C/W |
| Zero gate voltage drain current 125c | 10µA |
| Thermal resistance junction ambient max | 100°C/W |
| Static drain source on resistance vgs5v max | 0.03Ω |
| Static drain source on resistance vgs5v typ | 0.025Ω |
| Static drain source on resistance vgs10v max | 0.028Ω |
| Static drain source on resistance vgs10v typ | 0.022Ω |
Заметили ошибку в описании или параметрах?