Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 90Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
200 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:200 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 158,96 |
| от 15 | 148,47 |
| от 30 | 139,90 |
| от 60 | 133,53 |
| от 120 | 128,77 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от STMicroelectronics. Рабочее напряжение до 200 В, ток до 18 А и мощность 90 Вт в компактном корпусе DPAK. Подходит для импульсных источников питания и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | STD20NF20 |
| Маркировка | 20NF20 |
| Корпус | DPAK |
| Тип монтажа | SMD |
| Упаковка | Tape and reel |
| Код заказа | STD20NF20 |
| Технология | StripFET N-channel MOSFET |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Тип. время спада | 10ns |
| Тип. время нарастания | 30ns |
| Коэф. сниж. | 0.72 W/°C |
| Dv dt capability | 15 V/ns |
| Dv dt conditions | Isd≤18A, di/dt≤400A/μs, Vds≤V(BR)DSS |
| Лавинный ток | 18A |
| Напр. изоляции | 2500V |
| Avalanche conditions | Tj=25°C, Id=18A, Vdd=50V |
| Current drain pulsed | 72A |
| Switching conditions | Vdd=100V, Id=10A, Rg=4.7Ω, Vgs=10V |
| Transconductance typ | 13S |
| Тип. заряд затвор-сток | 14.5nC |
| Тип. входная емкость | 940pF |
| Insulation conditions | t=1s, Tc=25°C |
| Макс. рассеиваемая мощность | 110W |
| Заряд затвора макс. | 39nC |
| Тип. заряд затвора | 28nC |
| Capacitance conditions | Vds=25V, f=1MHz, Vgs=0 |
| Gate charge conditions | Vdd=160V, Id=20A, Vgs=10V |
| Тип. заряд затвор-исток | 5.6nC |
| Выходная емкость тип. | 197pF |
| Время задержки вкл. тип. | 15ns |
| Avalanche energy single | 110mJ |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Время задержки выкл. тип. | 40ns |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Current drain continuous | 18A |
| Voltage drain source max | 200V |
| Diode recovery conditions | Isd=20A, di/dt=100A/μs, Vdd=50V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2V |
| Тип. пороговое Uзи | 3V |
| Source drain pulsed current | 72A |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Current drain continuous 100c | 11A |
| Resistance drain source on max | 0.125Ω |
| Resistance drain source on typ | 0.10Ω |
| Diode reverse recovery time typ | 155ns |
| Source drain continuous current | 18A |
| Source drain forward conditions | Isd=20A, Vgs=0 |
| Обр. проходная емкость тип. | 30pF |
| Source drain forward voltage max | 1.6V |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.38 °C/W |
| Diode reverse recovery charge typ | 775nC |
| Diode reverse recovery current typ | 10A |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 50 °C/W |
| Resistance drain source on conditions | Vgs=10V, Id=10A |
| Thermal resistance junction ambient condition | Mounted on 1inch² FR-4, 2 Oz copper board |
| Обратное напряжение, В | 200 |
| Ток, А | 20 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?