Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 13А 90Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 310 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 310 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 296,24 |
| от 5 | 292,45 |
| от 10 | 287,67 |
| от 20 | 281,26 |
| от 40 | 272,38 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Рабочее напряжение 550 В, ток до 13 А, сопротивление открытого канала 0,18 Ом, мощность 90 Вт. Выполнен в компактном корпусе DPAK. Подходит для импульсных источников питания и преобразователей напряжения в промышленной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | DPAK |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 13ns |
| Время нарастания | 9.5ns |
| Cross time | 23ns |
| Описание | N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh V Power MOSFET |
| Артикул | STD18N55M5 |
| Лавинный ток | 4A |
| Заряд сток-затвор | 14nC |
| Вх. емкость | 1352pF |
| Полный заряд затвора | 31nC |
| Forward on voltage | 1.5V |
| Заряд затвор-исток | 6.3nC |
| Выходная емкость | 38pF |
| Время задержки выключения | 29ns |
| Voltage gate source | 25V |
| Current drain pulsed | 52A |
| Source drain current | 13A |
| Voltage drain source | 550V |
| Мощн. рас. 25°C | 90W |
| Время обратного восстановления | 238ns |
| Заряд обратного восстановления | 2.8µC |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Reverse recovery current | 23.5A |
| Gate body leakage current | 100nA |
| Intrinsic gate resistance | 1.7Ω |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3V |
| Тип. пороговое Uзи | 4V |
| Reverse recovery time 150c | 278ns |
| Source drain current pulsed | 52A |
| Current drain continuous 25c | 13A |
| Испытательное напряжение изоляции | 2500V |
| Reverse recovery charge 150c | 3.3µC |
| Обратная проходная емкость | 3.7pF |
| Описание (англ.) | N-channel 550 V, 0.18 Ohm, 13 A |
| Current drain continuous 100c | 8.3A |
| Reverse recovery current 150c | 24A |
| Энергия одиноч. импульса | 200mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 550V |
| Lead temperature for soldering | 300°C |
| Thermal resistance junction pcb | 50°C/W |
| Zero gate voltage drain current | 1µA |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.39°C/W |
| Peak diode recovery voltage slope | 15V/ns |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Equivalent capacitance time related | 98pF |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Zero gate voltage drain current 125c | 100µA |
| Equivalent capacitance energy related | 35pF |
| Макс. сопротивление сток-исток вкл. | 0.24Ω |
| Тип. сопротивление сток-исток | 0.18Ω |
Заметили ошибку в описании или параметрах?