Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.055 Ом, 17А 30Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 092 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 092 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 47,14 |
| от 47 | 43,19 |
| от 94 | 39,96 |
| от 187 | 37,52 |
| от 373 | 35,71 |
Описание
Полевой N-канальный MOSFET-транзистор от STMicroelectronics рассчитан на напряжение 30 В, ток 17 А и мощность 30 Вт. Сопротивление открытого канала составляет всего 0,055 Ом, что обеспечивает низкие потери. Компонент выпускается в компактном корпусе DPAK. Подходит для импульсных источников питания и цепей управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Серия | STripFET II |
| Ecopack | Да |
| Маркировка | D17NF03L@ |
| Корпус | DPAK |
| Тип монтажа | SMD |
| Упаковка | Tape & reel |
| Код заказа | STD17NF03LT4 |
| Описание | N-channel 30V - 0.038 ohm - 17A - DPAK/IPAK STripFET II Power MOSFET |
| Артикул | STD17NF03LT4 |
| Применение | Switching application |
| Fall time tf | 22 ns |
| Rise time tr | 100 ns |
| Base quantity | 2500 |
| Bulk quantity | 2500 |
| Коэф. сниж. | 0.2 W/°C |
| Тип транзистора | N-channel Power MOSFET |
| Dpak dimensions l | 1 mm |
| Dpak dimensions r | 0.2 mm |
| Reel dimensions a | 330 mm |
| Reel dimensions b | 1.5 mm |
| Reel dimensions d | 20.2 mm |
| Reel dimensions n | 50 mm |
| Reel dimensions t | 22.4 mm |
| Dpak dimensions d1 | 5.1 mm |
| Dpak dimensions e1 | 4.7 mm |
| Dpak dimensions l1 | 2.8 mm |
| Dpak dimensions l2 | 0.8 mm |
| Dpak dimensions v2 | 0° to 8° |
| Total gate charge qg | 4.8 nC typ, 6.5 nC max |
| Dpak dimensions a max | 2.4 mm |
| Dpak dimensions a min | 2.2 mm |
| Dpak dimensions b max | 0.9 mm |
| Dpak dimensions b min | 0.64 mm |
| Dpak dimensions c max | 0.6 mm |
| Dpak dimensions c min | 0.45 mm |
| Dpak dimensions d max | 6.2 mm |
| Dpak dimensions d min | 6 mm |
| Dpak dimensions e max | 6.6 mm |
| Dpak dimensions e min | 6.4 mm |
| Dpak dimensions h max | 10.1 mm |
| Dpak dimensions h min | 9.35 mm |
| Gate drain charge qgd | 1.7 nC |
| Reel dimensions c max | 13.2 mm |
| Reel dimensions c min | 12.8 mm |
| Reel dimensions g max | 18.4 mm |
| Reel dimensions g min | 16.4 mm |
| Dpak dimensions a1 max | 1.1 mm |
| Dpak dimensions a1 min | 0.9 mm |
| Dpak dimensions a2 max | 0.23 mm |
| Dpak dimensions a2 min | 0.03 mm |
| Dpak dimensions b4 max | 5.4 mm |
| Dpak dimensions b4 min | 5.2 mm |
| Dpak dimensions c2 max | 0.6 mm |
| Dpak dimensions c2 min | 0.48 mm |
| Dpak dimensions l4 max | 1 mm |
| Dpak dimensions l4 min | 0.6 mm |
| Forward on voltage vsd | 1.5V |
| Gate source charge qgs | 2.25 nC |
| Input capacitance ciss | 320 pF |
| Total dissipation tc25 | 30W |
| Dpak dimensions e pitch | 2.28 mm |
| Drain gate voltage vdgr | 30V |
| Gate source voltage vgs | +/-16V |
| Output capacitance coss | 155 pF |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Dpak dimensions e1 pitch | 4.4 to 4.6 mm |
| Drain current pulsed idm | 68A |
| Source drain current isd | 22A |
| Turn on delay time td on | 11 ns |
| Drain source voltage vdss | 30V |
| Dv dt peak diode recovery | 7 V/ns |
| Reverse recovery time trr | 28 ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 175 °C |
| Turn off delay time td off | 25 ns |
| Reverse recovery charge qrr | 18 nC |
| Forward transconductance gfs | 12 S |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CHANNEL 30V/0.055 OHM/17A |
| Drain current continuous tc25 | 17A |
| Reverse recovery current irrm | 1.3 A |
| Drain current continuous tc100 | 12A |
| Gate body leakage current igss | +/-100 nA |
| Max lead temperature soldering | 275 °C |
| Gate threshold voltage vgsth max | 2.2V |
| Gate threshold voltage vgsth min | 1V |
| Gate threshold voltage vgsth typ | 1.5V |
| Source drain current pulsed isdm | 88A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 5.0 °C/W |
| Reverse transfer capacitance crss | 28 pF |
| Single pulse avalanche energy eas | 200 mJ |
| Макс. темп. перехода | 175 °C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 100 °C/W |
| Zero gate voltage drain current idss | 1 µA |
| Drain source breakdown voltage vbrdss | 30V |
| Zero gate voltage drain current idss tc125 | 10 µA |
| Static drain source on resistance rds on vgs5 | 0.045 ohm typ, 0.06 ohm max |
| Static drain source on resistance rds on vgs10 | 0.038 ohm typ, 0.05 ohm max |
Заметили ошибку в описании или параметрах?