Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12А 0.299 Ом, 90Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
930 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:930 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 289,80 |
| от 9 | 272,54 |
| от 17 | 258,46 |
| от 33 | 248,01 |
| от 66 | 240,21 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Выдерживает напряжение до 650 В, ток до 12 А и мощность 90 Вт, сопротивление открытого канала всего 0,299 Ом. Выпускается в компактном корпусе DPAK. Подходит для импульсных блоков питания и преобразователей в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Power MOSFET |
| Маркировка | 16N65M5 |
| Корпус | DPAK |
| Тип монтажа | SMD |
| Упаковка | Tape and reel |
| Технология | MDmesh V |
| Лавинный ток | 4A |
| Заряд сток-затвор | 12nC |
| Вх. емкость | 1250pF |
| Рассеиваемая мощность | 90W |
| Полный заряд затвора | 31nC |
| Заряд затвор-исток | 8nC |
| Выходная емкость | 30pF |
| Напряжение затвор-исток | ±25V |
| Drain current pulsed | 48A |
| Напряжение сток-исток | 650V |
| Source drain current | 12A |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Reverse recovery time 25c | 300ns |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3V |
| Тип. пороговое Uзи | 4V |
| Reverse recovery time 150c | 350ns |
| Reverse recovery charge 25c | 3.5nC |
| Source drain current pulsed | 48A |
| Drain current continuous 25c | 12A |
| Reverse recovery charge 150c | 4nC |
| Reverse recovery current 25c | 23A |
| Обратная проходная емкость | 3pF |
| Source drain forward voltage | 1.5V |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Drain current continuous 100c | 7.3A |
| Reverse recovery current 150c | 24A |
| Энергия одиноч. импульса | 200mJ |
| Макс. Rси вкл. | 0.279Ω |
| Drain source on resistance typ | 0.230Ω |
| Thermal resistance junction pcb | 50°C/W |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.38°C/W |
| Peak diode recovery voltage slope | 15V/ns |
Заметили ошибку в описании или параметрах?