Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 23А 70Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
806 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:806 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 14 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 56,49 |
| от 13 | 55,15 |
| от 26 | 53,29 |
| от 51 | 50,50 |
| от 101 | 46,95 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Выдерживает напряжение до 100 В, ток до 23 А и мощность 70 Вт. Выпускается в компактном корпусе DPAK. Подходит для импульсных блоков питания и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Id max | 23A |
| Маркировка | D15NF10 |
| Корпус | DPAK (TO-252) |
| Макс. Vds | 100V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип монтажа | SMD |
| Упаковка | Tape and reel |
| Id at 100c | 16A |
| Код заказа | STD15NF10T4 |
| Rds(вкл) макс. | 0.065Ω |
| Rds(вкл) тип. | 0.06Ω |
| Vgs порог макс. | 4V |
| Vgs порог мин. | 2V |
| Vgs(th) тип. | 3V |
| Dv dt rating | 9V/ns |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Id pulsed max | 92A |
| Switching times | Время спада: 17ns; Время нарастания: 45ns; Задержка включения: 60ns; Задержка выключения: 49ns |
| Avalanche energy | 180mJ |
| Рассеиваемая мощность | 70W |
| Размеры упаковки | Width max: 6.6mm; Width min: 6.4mm; Макс. высота: 2.4mm; Height min: 2.2mm; Макс. длина: 6.2mm; Мин. длина: 6.0mm |
| Gate leakage current | ±100nA |
| Transconductance typ | 12S |
| Drain leakage current | 1µA |
| Gate charge total max | 40nC |
| Gate charge total typ | 30nC |
| Тип. заряд затвор-сток | 10nC |
| Тип. входная емкость | 870pF |
| Тип. заряд затвор-исток | 6nC |
| Выходная емкость тип. | 125pF |
| Макс. темп. хр. | 175°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Напр. диода макс. | 1.5V |
| Drain leakage max at 125c | 10µA |
| Макс. раб. темп. | 175°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Diode reverse recovery time | 100ns |
| Описание (англ.) | N-Channel 100V - 0.06Ohm - 23A |
| Diode reverse recovery charge | 375nC |
| Diode reverse recovery current | 7.5A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 100V |
| Обр. проходная емкость тип. | 50pF |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 2.14°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Напряжение, В | 100 |
| Ток, А | 15 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?