Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А 110Вт
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 951 шт.
Норм. уп.: 5
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 751 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 126,30 |
| от 31 | 118,59 |
| от 61 | 112,46 |
| от 122 | 107,08 |
| от 243 | 103,44 |
Склад 12
В наличии:200 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 5
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 87,98 |
| от 5 | 80,52 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Работает при напряжении до 600 В, токе до 6 А и мощности 110 Вт. Компонент выполнен в корпусе D2Pak (TO-263) для поверхностного монтажа. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Маркировка | B6NK60Z |
| Корпус | D²PAK (TO-263) |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | N-channel |
| Время спада | 19ns typ |
| Упаковка | Tape & reel |
| Время нарастания | 14ns typ |
| ESD рейтинг | 3500V (HBM, C=100pF, R=1.5kΩ) |
| Технология | SuperMESH (Zener-protected) |
| Dv dt rating | 4.5V/ns |
| Тип монтажа | SMD |
| Dvdt capability | 4.5 V/ns (Isd≤6A, di/dt≤200A/µs, Vdd=80% Vbrdss) |
| Avalanche energy | 210mJ (single pulse, starting Tj=25°C, Id=Iar, Vdd=50V) |
| Лавинный ток | 6A |
| Заряд сток-затвор | 17nC |
| Вх. емкость | 905pF typ |
| Макс. R вкл. | 1.2Ω |
| On resistance typ | 1.0Ω |
| Рассеиваемая мощность | 110W |
| Полный заряд затвора | 33nC typ, 46nC max (Vdd=480V, Id=6A, Vgs=10V) |
| Заряд затвор-исток | 6nC |
| Выходная емкость | 115pF typ |
| Время задержки включения | 14ns typ |
| Напряжение затвор-исток | ±30V |
| Время задержки выключения | 47ns typ |
| Drain current pulsed | 24A |
| Напряжение сток-исток | 600V |
| Импульсный ток стока | 24A |
| Время обратного восстановления | 445ns typ (Isd=6A, di/dt=100A/µs, Vdd=50V, Tj=150°C) |
| Заряд затвора макс. | 46nC |
| Тип. заряд затвора | 33nC |
| Gate threshold voltage | 3V min, 3.75V typ, 4.5V max (Vds=Vgs, Id=100µA) |
| Заряд обратного восстановления | 2.7µC typ |
| Общая рассеиваемая мощность | 110W |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Continuous drain current | 6A (at 25°C), 3.8A (at 100°C) |
| Drain current continuous | 6A |
| Прямая крутизна | 5S typ |
| Reverse recovery current | 12A typ |
| Voltage drain source max | 600V |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3V |
| Тип. пороговое Uзи | 3.75V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Gate source zener breakdown | 30V (Igs=±1mA, open drain) |
| Обратная проходная емкость | 25pF typ |
| Source drain forward voltage | 1.6V max (Isd=6A, Vgs=0) |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| Drain current continuous 100c | 3.8A |
| Equivalent output capacitance | 56pF (Coss eq) |
| Source drain forward voltage max | 1.6V |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.14 °C/W |
| Static drain source on resistance | 1Ω typ, 1.2Ω max (Vgs=10V, Id=3A) |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5 °C/W |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?