Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14A
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
299 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:204 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 308,83 |
| от 8 | 290,57 |
| от 16 | 275,69 |
| от 32 | 264,64 |
| от 63 | 256,40 |
Склад 38
В наличии:95 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 213,62 |
Описание
Полевой MOSFET-транзистор N-канального типа от STMicroelectronics. Работает при напряжении до 500 В и токе до 14 А, сопротивление открытого канала — 0,34 Ом. Выполнен в корпусе D2Pak (TO-263). Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Серия | SuperMESH |
| Маркировка | B14NK50Z |
| Корпус | D2PAK |
| Тип монтажа | SMD |
| Упаковка | Tape & reel |
| Описание | N-channel 500V 0.34ohm 14A D2PAK Zener-protected SuperMESH Power MOSFET |
| Артикул | STB14NK50ZT4 |
| Fall time tf | 12 ns |
| Rise time tr | 16 ns |
| Коэф. сниж. | 1.20 W/°C |
| Тип транзистора | N-channel Power MOSFET |
| Cross over time tc | 20 ns |
| Gate source esd hbm | 4000V |
| Темп. хранения | -55 to 150 °C |
| Total gate charge qg | 69 to 92 nC |
| Avalanche current iar | 12A |
| Gate drain charge qgd | 31 nC |
| Fall time tf switching | 9 ns |
| Forward on voltage vsd | 1.6V |
| Gate source charge qgs | 12 nC |
| Input capacitance ciss | 2000 pF |
| Drain gate voltage vdgr | 500V |
| Gate source voltage vgs | +/-30V |
| Output capacitance coss | 238 pF |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Pulsed drain current idm | 48A |
| Source drain current isd | 12A |
| Turn on delay time td on | 24 ns |
| Drain source voltage vdss | 500V |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 4.5 V/ns |
| Reverse recovery time trr | 470 ns |
| Turn off delay time td off | 54 ns |
| Reverse recovery charge qrr | 3.1 µC |
| Total power dissipation 25c | 150W |
| Forward transconductance gfs | 12 S |
| Gate threshold voltage vgsth | 3 to 4.5V |
| Описание (англ.) | N-CHANNEL 500V - 0.34 OHM - 14A |
| Off voltage rise time tr voff | 9.5 ns |
| Reverse recovery current irrm | 13.2A |
| Gate body leakage current igss | +/-10 nA |
| Max lead soldering temperature | 300 °C |
| Рабочая температура перехода | -55 to 150 °C |
| Continuous drain current id 25c | 14A |
| Thermal resistance junction pcb | 60 °C/W |
| Continuous drain current id 100c | 7.6A |
| Source drain current pulsed isdm | 48A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.83 °C/W |
| Reverse transfer capacitance crss | 55 pF |
| Single pulse avalanche energy eas | 400mJ |
| Gate source breakdown voltage bvgso | 30V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5 °C/W |
| Zero gate voltage drain current idss | 1 µA |
| Drain source breakdown voltage vbrdss | 500V |
| Equivalent output capacitance coss eq | 150 pF |
| Static drain source on resistance rds on | 0.34 to 0.38 ohm |
| Zero gate voltage drain current idss 125c | 50 µA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?