+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
STB11NK40ZT4
Документация

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 9А 110Вт

Артикул:775835
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
627 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:627 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 6 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1137,11
от 6134,71
от 12131,43
от 23126,48
от 46119,11
Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный от STMicroelectronics. Выдерживает напряжение до 400 В, ток до 9 А и мощность 110 Вт, имеет защиту от статического электричества. Выпускается в корпусе D2Pak для поверхностного монтажа. Подходит для импульсных блоков питания и преобразователей напряжения.

Технические характеристики
ТипMOSFET N-Channel
МаркировкаB11NK40Z
КорпусD2PAK
Тип монтажаSMD
Время спада18ns
УпаковкаTape and reel
Время нарастания20ns
Gate source esd3500V
Avalanche energy190mJ
Лавинный ток9A
Заряд сток-затвор18.5nC
Вх. емкость930pF
Рассеиваемая мощность110W
Полный заряд затвора32nC
Заряд затвор-исток6nC
Выходная емкость140pF
Время задержки включения20ns
Напряжение затвор-исток±30V
Время задержки выключения40ns
Drain current pulsed36A
Напряжение сток-исток400V
Время обратного восстановления225ns
Gate threshold voltage3V min, 3.75V typ, 4.5V max
Заряд обратного восстановления1.6µC
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Reverse recovery current14A
Drain source on resistance0.49Ω (typ), 0.55Ω (max)
Температура пайки выводов300°C
Диап. раб. темп.-55°C to 150°C
Drain current continuous 25c9A
Обратная проходная емкость30pF
Описание (англ.)N-Channel 400V - 0.49 Ohm - 9A - Zener-Protected
Drain current continuous 100c5.67A
Тепловое сопр. переход-корпус1.14°C/W
Тепловое сопротивление переход-среда62.5°C/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?