Документация
МИКРОСХЕМЫ SST26VF064B-104I/SM, микросхема памяти Microchip
У поставщика
ПроизводительMicrochip
КатегорияМикросхемы памяти
У поставщиков
1 558 шт.
Норм. уп.: 3
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 267 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 90
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 233,70 |
| от 37 | 221,69 |
| от 90 | 213,65 |
| от 180 | 206,57 |
| от 360 | 201,79 |
Склад 15
В наличии:250 шт
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 5
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 5 | 206,35 |
Склад 12
В наличии:41 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3
Минимальная партия: 30 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 217,35 |
| от 3 | 203,18 |
Описание
Микросхема флеш-памяти SST26VF064B-104I/SM производства Microchip относится к серии SuperFlash с последовательным интерфейсом SPI. Обладает ёмкостью 64 Мбит и поддерживает режимы работы с частотой до 104 МГц. Предназначена для надёжного хранения кода и данных встраиваемых систем, обеспечивая высокую скорость чтения и низкое энергопотребление.
Технические характеристики
| RoHS | RoHS compliant |
| Тип | Flash |
| Корпус | 8-lead SOIJ (5.28 mm) |
| Особенности | OTP Secure ID (2KB), Write Protection, Software Reset, Write-Suspend |
| Тип монтажа | SMD |
| Ресурс | 100000 cycles min |
| Интерфейс | Serial Quad I/O (SQI), SPI compatible |
| Размер страницы | 256 bytes |
| Кол-во выводов | 8 |
| Spi modes | Mode 0 and Mode 3 |
| Технология | CMOS SuperFlash, split-gate cell, thick-oxide tunneling injector |
| Burst modes | Continuous linear burst; 8/16/32/64 Byte linear burst with wrap-around |
| Описание | 64 Mbit Serial Quad I/O (SQI) Flash Memory |
| Объем памяти | 64 Mbit |
| Артикул | SST26VF064B-104I/SM |
| Security id | OTP 2 KByte Secure ID; 64-bit unique factory pre-programmed identifier; user-programmable area |
| Макс. напряжение | 3.6V |
| Напряжение мин. | 2.7V |
| Производитель | Microchip |
| Выводы корпуса | 8 |
| Ширина корпуса | 5.28 mm |
| Write suspend | Да |
| Сохранение данных | >100 years |
| Software reset | Да |
| Напряжение питания | 2.3-3.6V / 2.7-3.6V |
| Тактовая частота | 104 MHz max |
| Erase time chip | 35 ms typ, 50 ms max |
| Ток в режиме ожидания | 15 µA typ |
| Write protection | Individual-block write protection with permanent lock-down; read protection on top/bottom 8 KByte parameter blocks |
| Erase time sector | 18 ms typ, 25 ms max |
| Page program size | 256 bytes |
| Темп. диапазон | -40°C to +85°C (industrial); -40°C to +105°C (extended) |
| Erase architecture | Uniform 4 KByte sectors; four 8 KByte top/bottom parameter overlay blocks; one 32 KByte top/bottom overlay block; uniform 64 KByte overlay blocks |
| Размеры упаковки | 8-lead SOIJ (5.28 mm) |
| Active read current | 15 mA typ @ 104 MHz |
| Напряжение, В | 2.7 В |
| End of write detection | Software polling BUSY bit in status register |
| Erase time sector block | 18 ms typ, 25 ms max |
| Макс. раб. темп. | +85°C |
| Мин. раб. темп. | -40°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?