Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 6A
У поставщика
ПроизводительTOS
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
6 503 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт7,33 ₽
Сумма733,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии6 503 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 262 — 6,32 ₽ (−14%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 733,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 567,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 733,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от TOS. Рабочее напряжение до 30 В, ток до 6 А, корпус SOT-23F. Подходит для коммутации нагрузки и управления питанием в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Цоколевка | 1: Gate, 2: Source, 3: Drain |
| Вес | 11mg |
| Корпус | SOT-23F |
| Тип монтажа | SMD |
| Описание | TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI) |
| Артикул | SSM3J332R |
| Применение | Power Management Switch Applications |
| Drive voltage | 1.8V |
| Дата даташита | 2018-10-15 |
| Turn on time ton | 15ns |
| Макс. Rds(on) при Vgs 10 В | 42.0mΩ |
| Turn off time toff | 75ns |
| Drain current dc id | -6.0A |
| Макс. Rds(on) при Vgs 1,8 В | 144mΩ |
| Макс. Rds(on) при Vgs 2,5 В | 72.0mΩ |
| Макс. Rds(on) при Vgs 4,5 В | 50.0mΩ |
| Safe operating area | provided |
| Рассеиваемая мощность Pd | 1W |
| Общий заряд затвора (Qg) | 8.2nC |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 2.2nC |
| Входная ёмкость Ciss | 560pF |
| Channel temperature tch | 150°C |
| Drain current pulse idp | -24.0A |
| Gate source charge qgs1 | 1.1nC |
| Выходная ёмкость Coss | 80pF |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Gate source voltage vgss | ±12V |
| Напряжение сток-исток (VDSS) | -30V |
| Gate leakage current igss | ±1μA |
| Drain cut off current idss | -1μA |
| Gate threshold voltage vth | -0.5 to -1.2V |
| Commercial production start | 2010-08 |
| Thermal resistance rth ch a | depends on board |
| Описание (англ.) | MOSFET P CH 30V 6A 2-3Z1A |
| Power dissipation pd t lt 10s | 2W |
| Диапазон температур хранения | -55 to 150°C |
| Switching time test conditions | VDD=-15V, ID=-2.0A, VGS=0 to -4.5V, RG=10Ω |
| Forward transfer admittance yfs | 5.7 to 11.3S |
| Drain source forward voltage vdsf | 0.90 to 1.2V |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 65pF |
| Напряжение пробоя сток-исток (VBR DSS) | -30V |
| Drain source breakdown voltage vbr dsx | -22V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?