Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 6A
У поставщика
ПроизводительTOS
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
8 789 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:8 789 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 90 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 7,72 |
| от 262 | 6,66 |
| от 523 | 5,77 |
| от 1 045 | 5,09 |
| от 2 089 | 4,63 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от TOS. Рабочее напряжение до 30 В, ток до 6 А, корпус SOT-23F. Подходит для коммутации нагрузки и управления питанием в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Цоколевка | 1: Gate, 2: Source, 3: Drain |
| Вес | 11mg |
| Корпус | SOT-23F |
| Тип монтажа | SMD |
| Описание | TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI) |
| Артикул | SSM3J332R |
| Применение | Power Management Switch Applications |
| Drive voltage | 1.8V |
| Дата даташита | 2018-10-15 |
| Turn on time ton | 15ns |
| Rds on vgs 10v max | 42.0mΩ |
| Turn off time toff | 75ns |
| Drain current dc id | -6.0A |
| Rds on vgs 1 8v max | 144mΩ |
| Rds on vgs 2 5v max | 72.0mΩ |
| Rds on vgs 4 5v max | 50.0mΩ |
| Safe operating area | provided |
| Power dissipation pd | 1W |
| Total gate charge qg | 8.2nC |
| Gate drain charge qgd | 2.2nC |
| Input capacitance ciss | 560pF |
| Channel temperature tch | 150°C |
| Drain current pulse idp | -24.0A |
| Gate source charge qgs1 | 1.1nC |
| Output capacitance coss | 80pF |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Gate source voltage vgss | ±12V |
| Drain source voltage vdss | -30V |
| Gate leakage current igss | ±1μA |
| Drain cut off current idss | -1μA |
| Gate threshold voltage vth | -0.5 to -1.2V |
| Commercial production start | 2010-08 |
| Thermal resistance rth ch a | depends on board |
| Описание (англ.) | MOSFET P CH 30V 6A 2-3Z1A |
| Power dissipation pd t lt 10s | 2W |
| Диапазон температур хранения | -55 to 150°C |
| Switching time test conditions | VDD=-15V, ID=-2.0A, VGS=0 to -4.5V, RG=10Ω |
| Forward transfer admittance yfs | 5.7 to 11.3S |
| Drain source forward voltage vdsf | 0.90 to 1.2V |
| Reverse transfer capacitance crss | 65pF |
| Drain source breakdown voltage vbr dss | -30V |
| Drain source breakdown voltage vbr dsx | -22V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?