Документация
Транзистор SS8550CBU
У поставщика
У поставщиков
759 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:759 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 50 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 14,10 |
| от 85 | 13,36 |
| от 170 | 12,48 |
| от 340 | 11,51 |
| от 680 | 10,72 |
Описание
Транзистор SS8550CBU от ON Semiconductor — биполярный PNP-транзистор, предназначенный для работы в цепях общего назначения. Компонент подходит для применения в усилительных каскадах, ключевых схемах и устройствах управления нагрузкой. Отличается низким напряжением насыщения и высокой надёжностью, что обеспечивает стабильную работу в компактных корпусах.
Технические характеристики
| Тип | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| Маркировка | S8550 |
| Корпус | TO-92 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Полярность | PNP |
| Комплементарный к | SS8050 |
| Снижение выше 25°C | 8mW/°C |
| Ток коллектора | -1.5A |
| Рассеиваемая мощность | 1W |
| Классификация hFE | C (120-200) |
| Выходная емкость | 15pF (Vcb=-10V, f=1MHz) |
| Hfe1 | 45-170 (Vce=-1V, Ic=-5mA) |
| Hfe2 | 85-160 (Vce=-1V, Ic=-100mA, classification B) |
| Коэффициент усиления DC hFE3 | 40-80 (Vce=-1V, Ic=-800mA) |
| Напряжение эмиттер-база | -6V |
| Hfe classification b | 85~160 |
| Hfe classification c | 120~200 |
| Hfe classification d | 160~300 |
| Темп. перехода | 150°C |
| Макс. ток коллектора | -1.5A |
| Dc current gain max 1 | 170 |
| Dc current gain max 2 | 300 |
| Dc current gain min 1 | 45 |
| Dc current gain min 2 | 85 |
| Dc current gain min 3 | 40 |
| Dc current gain typ 2 | 160 |
| Dc current gain typ 3 | 80 |
| Напряжение коллектор-база | -40V |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | -0.66 to -1.00V (Vce=-1V, Ic=-10mA) |
| Ток отсечки эмиттера | -100nA (Veb=-6V) |
| Напряжение эмиттер-база макс. | -6V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Ток отсечки коллектора | -100nA (Vcb=-35V) |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -25V |
| Диап. темп. хр. | -65 to 150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | -40V |
| Макс. ток отсечки эмиттера | -100nA |
| Base emitter on voltage max | -1.00V |
| Base emitter on voltage min | -0.66V |
| Макс. ток отсечки коллектора | -100nA |
| Dc current gain hfe2 class c | 120-200 (Vce=-1V, Ic=-100mA, classification C) |
| Dc current gain hfe2 class d | 160-300 (Vce=-1V, Ic=-100mA, classification D) |
| Макс. напр. К-Э | -25V |
| Current gain bandwidth product | 100-200MHz (Vce=-10V, Ic=-50mA) |
| Напр. нас. база-эмиттер | -0.98 to -1.20V (Ic=-800mA, Ib=-80mA) |
| Collector output capacitance typ | 15pF |
| Current gain bandwidth product max | 200MHz |
| Current gain bandwidth product typ | 100MHz |
| Мин. пробой эмиттер-база | -6V |
| Макс. Uбэ нас. | -1.20V |
| Base emitter saturation voltage typ | -0.98V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 125°C/W |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-база | -40V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.28 to -0.50V (Ic=-800mA, Ib=-80mA) |
| Термосопротивление переход-среда | 125°C/W |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -25V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | -0.50V |
| Тип. напряжение насыщения К-Э | -0.28V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?