Документация
Транзистор SS8550
В наличии
На своём складе
22 678 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 0,48 |
| от 800 | 0,45 |
| от 2 000 | 0,44 |
| от 4 000 | 0,43 |
Описание
Транзистор SS8550 от KEEN SIDE — это PNP биполярный транзистор в миниатюрном SMD-корпусе SOT-23. Компонент рассчитан на ток коллектора до -1,5 А и рассеиваемую мощность 300 мВт, работает на частоте до 100 МГц. Подходит для коммутации нагрузки и усиления сигналов в компактных устройствах бытовой электроники и портативной технике.
Технические характеристики
| Тип | PNP |
| Маркировка | Y2 |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | L: 0.550mm REF; A max: 1.150mm; A min: 0.900mm; B max: 0.500mm; B min: 0.300mm; C max: 0.150mm; C min: 0.080mm; D max: 3.000mm; D min: 2.800mm; E max: 1.400mm; E min: 1.200mm; Theta: 0°-8°; A1 max: 0.100mm; A1 min: 0.000mm; A2 max: 1.050mm; A2 min: 0.900mm; E1 max: 2.550mm; E1 min: 2.250mm; L1 max: 0.500mm; L1 min: 0.300mm; E pitch: 0.950mm TYP; E1 pitch: 1.800-2.000mm |
| Complementary | SS8050 |
| Ток коллектора | -1.5 A |
| Рассеиваемая мощность | 300 mW |
| Темп. хранения | -55～+150 ℃ |
| Напряжение база-эмиттер | -1 В |
| Ток коллектора Ic | -1.5A |
| Hfe1 | 200-350 |
| Hfe2 | 40 min |
| Темп. перехода | 150 ℃ |
| Частота перехода | 100 MHz |
| Напряжение эмиттер-база | -5 В |
| Напряжение коллектор-база | -40 В |
| Темп. перехода Tj | 150°C |
| Граничная частота ft | 100MHz |
| Base emitter voltage vbe | -1V |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | -5V |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -25 В |
| Ток отсечки эмиттера EBO | -100 nA |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | -40V |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | -100nA |
| Ток отсечки коллектора CBO | -100 nA |
| Ток отсечки коллектора CEO | -100 nA |
| Выходная емкость коллектора | 20 pF |
| Ток отсечки коллектора Icbo | -100nA |
| Ток отсечки коллектора ICEO | -100nA |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | -25V |
| Pк | 300mW |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -5 В |
| Диапазон температур хранения | -55~+150°C |
| Напр. нас. база-эмиттер | -1.2 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -40 В |
| Collector output capacitance cob | 20pF |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -25 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.5 В |
| Пробивное эмиттер-база | -5V |
| Base emitter saturation voltage vbesat | -1.2V |
| Термосопротивление переход-среда | 417 ℃/W |
| Напряжение пробоя коллектор-база Vbrcbo | -40V |
| Напряж. пробоя К-Э | -25V |
| Напряжение насыщения КЭ | -0.5V |
| Тепловое сопр. переход-среда | 417°C/W |