Документация
Транзистор SS8550
В наличии
На своём складе
24 778 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 0,53 |
| от 800 | 0,49 |
| от 2 000 | 0,48 |
| от 4 000 | 0,47 |
Описание
Транзистор SS8550 от KEEN SIDE — это PNP биполярный транзистор в миниатюрном SMD-корпусе SOT-23. Компонент рассчитан на ток коллектора до -1,5 А и рассеиваемую мощность 300 мВт, работает на частоте до 100 МГц. Подходит для коммутации нагрузки и усиления сигналов в компактных устройствах бытовой электроники и портативной технике.
Технические характеристики
| Тип | PNP |
| Маркировка | Y2 |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | { "l": "0.550mm REF", "a_max": "1.150mm", "a_min": "0.900mm", "b_max": "0.500mm", "b_min": "0.300mm", "c_max": "0.150mm", "c_min": "0.080mm", "d_max": "3.000mm", "d_min": "2.800mm", "e_max": "1.400mm", "e_min": "1.200mm", "theta": "0°-8°", "a1_max": "0.100mm", "a1_min": "0.000mm", "a2_max": "1.050mm", "a2_min": "0.900mm", "e1_max": "2.550mm", "e1_min": "2.250mm", "l1_max": "0.500mm", "l1_min": "0.300mm", "e_pitch": "0.950mm TYP", "e1_pitch": "1.800-2.000mm" } |
| Complementary | SS8050 |
| Ток коллектора | -1.5 A |
| Рассеиваемая мощность | 300 mW |
| Темп. хранения | -55～+150 ℃ |
| Напряжение база-эмиттер | -1 В |
| Ток коллектора Ic | -1.5A |
| Hfe1 | 200-350 |
| Hfe2 | 40 min |
| Темп. перехода | 150 ℃ |
| Частота перехода | 100 MHz |
| Напряжение эмиттер-база | -5 В |
| Напряжение коллектор-база | -40 В |
| Темп. перехода Tj | 150°C |
| Граничная частота ft | 100MHz |
| Base emitter voltage vbe | -1V |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | -5V |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -25 В |
| Ток отсечки эмиттера EBO | -100 nA |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | -40V |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | -100nA |
| Ток отсечки коллектора CBO | -100 nA |
| Ток отсечки коллектора CEO | -100 nA |
| Выходная емкость коллектора | 20 pF |
| Ток отсечки коллектора Icbo | -100nA |
| Ток отсечки коллектора ICEO | -100nA |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | -25V |
| Pк | 300mW |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -5 В |
| Диапазон температур хранения | -55~+150°C |
| Напр. нас. база-эмиттер | -1.2 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -40 В |
| Collector output capacitance cob | 20pF |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -25 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.5 В |
| Пробивное эмиттер-база | -5V |
| Base emitter saturation voltage vbesat | -1.2V |
| Термосопротивление переход-среда | 417 ℃/W |
| Напряжение пробоя коллектор-база Vbrcbo | -40V |
| Напряж. пробоя К-Э | -25V |
| Напряжение насыщения КЭ | -0.5V |
| Тепловое сопр. переход-среда | 417°C/W |