Документация
Транзисторы / Транзисторы TO-92/TO-126/TO-220/TO-247 / Транзистор SS8550 / TO-92 (Россыпь)
У поставщика
ПроизводительCJ
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
5 415 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:5 400 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,14 |
| от 100 | 2,32 |
| от 1 000 | 1,53 |
Склад 14
В наличии:15 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 1000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 000 | 3,73 |
Описание
Транзистор SS8550 от CJ — это кремниевый PNP-биполярный транзистор в корпусе SOT-23. Рассчитан на ток коллектора до -1,5 А и напряжение коллектор-эмиттер до -25 В, коэффициент усиления по току (hFE) составляет 200–350. Подходит для коммутации нагрузок и усиления сигналов в бытовой электронике и портативных устройствах.
Технические характеристики
| Тип | PNP |
| Маркировка | Y2 |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | A max: 1.150mm; A min: 0.900mm; B max: 0.500mm; B min: 0.300mm; C max: 0.150mm; C min: 0.080mm; D max: 3.000mm; D min: 2.800mm; E max: 1.400mm; E min: 1.200mm; E typ: 0.950mm; L ref: 0.550mm; A1 max: 0.100mm; A1 min: 0.000mm; A2 max: 1.050mm; A2 min: 0.900mm; E1 max: 2.550mm; E1 min: 2.250mm; E1 typ: 1.800mm to 2.000mm; L1 max: 0.500mm; L1 min: 0.300mm; Theta max: 8°; Theta min: 0° |
| Ток коллектора | -1.5 A |
| Рассеиваемая мощность | 300 mW |
| Классификация hFE | L:120-200, H:200-350, J:300-400 |
| Темп. хранения | -55～+150 ℃ |
| Напряжение база-эмиттер | -1 В |
| Ток коллектора Ic | -1.5A |
| Hfe1 | 200-350 |
| Hfe2 | 40 |
| Темп. перехода | 150 ℃ |
| Частота перехода | 100 MHz |
| Напряжение эмиттер-база | -5 В |
| Dc current gain hfe 1 | 120-400 |
| Dc current gain hfe 2 | 40 min |
| Напряжение коллектор-база | -40 В |
| Темп. перехода Tj | 150°C |
| Граничная частота ft | 100MHz |
| Base emitter voltage vbe | -1V |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | -5V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -25 В |
| Ток отсечки эмиттера EBO | -100 nA |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | -40V |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | -100nA |
| Ток отсечки коллектора CBO | -100 nA |
| Ток отсечки коллектора CEO | -100 nA |
| Выходная емкость коллектора | 20 pF |
| Ток отсечки коллектора Icbo | -100nA |
| Ток отсечки коллектора ICEO | -100nA |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | -25V |
| Pк | 300mW |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -5 В |
| Напр. нас. база-эмиттер | -1.2 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -40 В |
| Collector output capacitance cob | 20pF |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -25 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.5 В |
| Emitter base breakdown voltage vbr ebo | -5V |
| Термосопротивление переход-среда | 417 ℃/W |
| Base emitter saturation voltage vbe sat | -1.2V |
| Collector base breakdown voltage vbr cbo | -40V |
| Collector emitter breakdown voltage vbr ceo | -25V |
| Collector emitter saturation voltage vce sat | -0.5V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 417°C/W |