Документация
Транзистор SS8050
В наличии
На своём складе
29 396 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 0,53 |
| от 800 | 0,49 |
| от 2 000 | 0,48 |
| от 4 000 | 0,47 |
Описание
Транзистор SS8050 от KEEN SIDE — это NPN биполярный транзистор в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Выдерживает ток коллектора до 1,5 А при напряжении до 40 В, коэффициент усиления по току составляет 200–350. Подходит для коммутации нагрузки и усиления сигналов в бытовой электронике и портативных устройствах.
Технические характеристики
| Тип | NPN |
| Маркировка | Y1 |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Мощность коллектора | 300 mW |
| Lead angle theta | 0°-8° |
| Ток коллектора | 1.5 A |
| Коэффициент усиления DC 2 | 40 |
| Макс. коэф. усиления DC | 350 |
| Hfe мин. | 200 |
| Темп. хранения | 55～+150 ℃ |
| Ток коллектора Ic | 1.5A |
| Hfe1 | 200-350 |
| Hfe2 | 40 |
| Темп. перехода | 150 ℃ |
| Частота перехода | 100 MHz |
| Напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Напряжение коллектор-база | 40 В |
| Dimensions lead pitch e | 0.950mm typ |
| Dimensions lead span e1 | 1.800-2.000mm |
| Dimensions lead width b | 0.300-0.500mm |
| Темп. перехода Tj | 150°C |
| Граничная частота ft | 100MHz |
| Dimensions body height a | 0.900-1.150mm |
| Dimensions body length d | 2.800-3.000mm |
| Dimensions body width e1 | 2.250-2.550mm |
| Dimensions lead length l | 0.550mm ref |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 5V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 25 В |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 40V |
| Ток отсечки база-эмиттер | 0.1 μA |
| Dimensions lead thickness c | 0.080-0.150mm |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | 0.1μA |
| Ток отсечки коллектора Icbo | 0.1μA |
| Ток отсечки коллектора ICEO | 0.1μA |
| Ток отсечки коллектор-база | 0.1 μA |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 5 В |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 25V |
| Pк | 300mW |
| Dimensions lead foot length l1 | 0.300-0.500mm |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | 1.2 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 40 В |
| Ток отсечки коллектор-эмиттер | 0.1 μA |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 25 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 В |
| Пробивное эмиттер-база | 5V |
| Base emitter saturation voltage vbesat | 1.2V |
| Термосопротивление переход-среда | 417 ℃/W |
| Напряжение пробоя коллектор-база Vbrcbo | 40V |
| Напряж. пробоя К-Э | 25V |
| Напряжение насыщения КЭ | 0.5V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 417°C/W |