Документация
ТРАНЗИСТОРЫ SS8050 JSMSEMI Биполярный транзистор NPN, 25 В, 1.5 А, SOT-23
У поставщика
ПроизводительJSMSEMI
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
43 000 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 15
В наличии:25 000 шт
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 1000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 000 | 0,53 |
Склад 12
В наличии:18 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 2223 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,07 |
| от 1 000 | 0,94 |
| от 10 000 | 0,70 |
Описание
Транзистор SS8050 от JSMSEMI — биполярный NPN-компонент. Предназначен для работы в цепях общего назначения, обеспечивая усиление и коммутацию сигналов. Выполнен в компактном корпусе SOT-23, что подходит для поверхностного монтажа. Применяется в схемах с напряжением до 25 В и током до 1.5 А.
Технические характеристики
| Тип | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |
| Тип | NPN |
| Ток | 1.5 A |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | NPN |
| Применение | High Collector Current |
| Корпус | SOT-23 |
| Монтаж | SMD |
| Complementary | SS8550 |
| Мощность | 0.625 W |
| Выходная емкость | 9.0pF |
| Размеры упаковки | A max: 3.10mm; A min: 2.70mm; B max: 1.50mm; B min: 1.10mm; C max: 1.10mm; C min: 0.90mm; D max: 0.50mm; D min: 0.30mm; E max: 0.48mm; E min: 0.35mm; G max: 2.00mm; G min: 1.80mm; H max: 0.10mm; H min: 0.02mm; J max: 0.15mm; J min: 0.05mm; K max: 2.60mm; K min: 2.20mm |
| Макс. коэф. усиления DC | 400 |
| Hfe мин. | 120 |
| Soldering footprint | Размеры мм: 0.95, 0.95, 2.00, 0.90, 0.80 |
| Напряжение | 25 V |
| Base emitter voltage max | 1V |
| Base emitter voltage min | 0.66V |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 6V |
| Hfe classification ranks | H: 200-350; J: 300-400; L: 120-200 |
| Макс. частота перехода | 190MHz |
| Мин. частота перехода | 100MHz |
| Dc current gain condition | V_CE=1V, I_C=100mA |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | 40V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Мощн. коллектора | 300mW |
| Непрерывный ток коллектора | 1.5A |
| Output capacitance condition | V_CB=10V, f=1MHz |
| Макс. напр. К-Э | 25V |
| Base emitter voltage condition | V_CE=1V, I_C=10mA |
| Transition frequency condition | V_CE=10V, I_C=50mA |
| Макс. ток отсечки эмиттер-база | 0.1μA |
| Dc current gain high current max | 110 |
| Dc current gain high current min | 40 |
| Макс. ток отсечки К-Б | 0.1μA |
| Макс. Uбэ нас. | 1.2V |
| Base emitter saturation voltage typ | 0.98V |
| Collector emitter cutoff current max | 0.1μA |
| Emitter base cutoff current condition | V_EB=6V, I_C=0 |
| Dc current gain high current condition | V_CE=1V, I_C=800mA |
| Collector base cutoff current condition | V_CB=35V, I_E=0 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.5V |
| Тип. напряжение насыщения К-Э | 0.28V |
| Base emitter saturation voltage condition | I_C=800mA, I_B=80mA |
| Collector emitter cutoff current condition | V_CE=20V, I_B=0 |
| Collector emitter saturation voltage condition | I_C=800mA, I_B=80mA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?