Документация
SQJA64EP-T1_GE3
У поставщика
ПроизводительVishay
У поставщиков
49 шт.
Норм. уп.: 5
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:49 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 5
Минимальная партия: 50 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 102,47 |
| от 5 | 86,94 |
| от 50 | 78,42 |
Описание
N-канальный MOSFET от Vishay Siliconix в компактном корпусе PowerPAK SO-8L для поверхностного монтажа. Выдерживает импульсный ток до 13 А и обладает малым временем переключения (время нарастания от 13 нс). Квалифицирован по стандарту AEC-Q101 для автомобильной электроники и промышленных контроллеров.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Корпус | PowerPAK SO-8L |
| Тип монтажа | SMD |
| Производитель | Vishay Siliconix |
| Корпус | SO-8 |
| Макс. время спада | 12ns |
| Тип. время спада | 6ns |
| Макс. время нарастания | 25ns |
| Тип. время нарастания | 13ns |
| AEC-Q101 | Да |
| Размеры упаковки | 6.15mm x 5.13mm |
| Структура | N-канал |
| Gate resistance max | 1.7Ω |
| Gate resistance min | 0.5Ω |
| Gate resistance typ | 1.1Ω |
| Avalanche energy max | 8.4mJ |
| Avalanche current max | 13A |
| Тип. заряд затвор-сток | 1.1nC |
| Входная емкость макс. | 670pF |
| Тип. входная емкость | 508pF |
| Заряд затвора макс. | 12nC |
| Тип. заряд затвора | 7.6nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 2.4nC |
| Макс. выходная емкость | 270pF |
| Выходная емкость тип. | 206pF |
| Время вкл. макс. | 15ns |
| Время задержки вкл. тип. | 9ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Макс. время выключения | 25ns |
| Время задержки выкл. тип. | 13ns |
| Макс. напряжение сток-исток | 60V |
| Gate leakage current max | ±100nA |
| Pulsed drain current max | 40A |
| Power dissipation max 25c | 45W |
| Макс. время обрат. восстановления | 60ns |
| Тип. время восст. | 26ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 3.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.5V |
| Тип. пороговое Uзи | 3.0V |
| On state drain current min | 5A |
| Power dissipation max 125c | 15W |
| Reverse recovery charge max | 45nC |
| Тип. заряд восст. | 20nC |
| Continuous drain current max | 15A |
| Forward transconductance typ | 13S |
| Reverse recovery fall time typ | 15ns |
| Reverse recovery rise time typ | 11ns |
| Reverse transfer capacitance max | 20pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 14pF |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 3.3°C/W |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +175°C |
| Drain source on resistance max 10v 4a | 0.0320Ω |
| Drain source on resistance typ 10v 4a | 0.0259Ω |
| Source drain diode pulsed current max | 40A |
| Source drain diode forward voltage max | 1.2V |
| Source drain diode forward voltage typ | 0.89V |
| Термосопротивление переход-среда | 70°C/W |
| Zero gate voltage drain current max 25c | 1μA |
| Zero gate voltage drain current max 125c | 50μA |
| Zero gate voltage drain current max 175c | 150μA |
| Drain source on resistance max 125c 10v 4a | 0.0527Ω |
| Drain source on resistance max 175c 10v 4a | 0.0650Ω |
| Body diode peak reverse recovery current typ | -1.45A |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?