+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
SPP20N65C3XKSA1
Документация

Транзистор SPP20N65C3XKSA1

Артикул:147328
У поставщика
ПроизводительInfineon
Ед. изм.шт
У поставщиков
26 шт.
Норм. уп.: 500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:26 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 500
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1828,01
от 2819,11
от 4808,13
от 8793,76
от 15773,58
Описание

Транзистор SPP20N65C3XKSA1 от Infineon — мощный полевой MOSFET с каналом N-типа, выполненный по технологии CoolMOS™ C3. Компонент предназначен для высоковольтных импульсных источников питания и силовой электроники, обеспечивая низкое сопротивление открытого канала и высокую эффективность переключения. Отличается повышенной устойчивостью к лавинному пробою и оптимизирован для работы в жестких условиях.

Технические характеристики
КорпусPG-TO220
Тип монтажаTHT
Dv/dt max50V/ns
Время нарастания5ns
Макс. время спада12ns
Тип. время спада4.5ns
Вх. емкость2400pF
Рассеиваемая мощность208W
Выходная емкость780pF
Время задержки включения10ns
Gate plateau voltage5.5V
Gate to drain charge33nC
Импульсный ток стока62.1A
Transconductance typ17.5S
Gate charge total max114nC
Gate charge total typ87nC
Gate input resistance0.54Ω
Gate to source charge11nC
Температура пайки260°C
Напряжение затвор-исток макс.±20V
Заряд обратного восстановления11µC
Макс. темп. хр.150°C
Мин. темп. хр.-55°C
Макс. время выключения100ns
Время задержки выкл. тип.67ns
Макс. напряжение сток-исток650V
Макс. раб. темп.150°C
Мин. раб. темп.-55°C
Макс. время обрат. восстановления800ns
Тип. время восст.500ns
Gate source voltage ac max±30V
Пороговое напряжение затвора макс.3.9V
Пороговое напряжение затвора мин.2.1V
Тип. пороговое Uзи3V
Avalanche current repetitive7A
Длительный ток стока 25°C20.7A
Inverse diode pulsed current62.1A
Обратная проходная емкость50pF
Avalanche energy single pulse690mJ
Непрерывный ток стока 100°C13.1A
Peak reverse recovery current70A
Макс. Rси вкл.0.19Ω
Drain source on resistance typ0.16Ω
Inverse diode continuous current20.7A
Inverse diode forward voltage max1.2V
Inverse diode forward voltage typ1V
Drain source on resistance 150c typ0.43Ω
Thermal resistance junction case max0.6K/W
Thermal resistance junction ambient max62K/W
Effective output capacitance time related160pF
Effective output capacitance energy related83pF