+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
SP001563360
Документация

SP001563360

Артикул:1207105
У поставщика
ПроизводительInfineon
У поставщиков
11 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:11 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 10 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 179,70
от 1078,21
Описание

Силовой P-Channel MOSFET от Infineon. Работает при напряжении до 55 В и рассеивает до 170 Вт, сопротивление открытого канала — 20 мОм. Доступен в корпусах D2Pak для поверхностного монтажа и TO-262 для выводного. Применяется в цепях управления питанием, промышленной автоматике и автомобильной электронике.

Технические характеристики
ТипPower MOSFET (P-Channel)
КорпусD2Pak (SMD), TO-262 (THT)
Тип монтажаSMD or THT
КомпонентSP001563360
Время спада64 ns
Время нарастания99 ns
On resistance20 mΩ
Задержка включения20 ns
Задержка выключения51 ns
Момент затяжки10 lbf·in (1.1 N·m)
Заряд сток-затвор53 nC
Вх. емкость3500 pF
Рассеиваемая мощность170W
Полный заряд затвора120 nC typ, 180 nC max
Заряд затвор-исток32 nC
Выходная емкость1250 pF
Напряжение затвор-исток±20V
Темп. хранения-55 to +150°C
Напряжение сток-исток55V
Gate leakage current100 nA
Импульсный ток стока280A
Drain leakage current25 µA
Время обратного восстановления61 ns typ, 92 ns max
Температура пайки300°C for 10s
Gate threshold voltage-2.0 to -4.0V
Avalanche energy tested790mJ
Заряд обратного восстановления150 nC typ, 220 nC max
Прямая крутизна19 S
Internal source inductance7.5 nH
Output capacitance effective1530 pF
Обратная проходная емкость450 pF
Avalanche energy single pulse140mJ
Непрерывный ток стока 100°C44A
Рабочая температура перехода-55 to +150°C
Source drain diode forward voltage1.3V
Тепл. сопр. переход-корпус0.75 °C/W
Continuous drain current 25c package42A
Continuous drain current 25c silicon70A
Термосопротивление переход-среда40 °C/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?