+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
SN74LVC1G08DBVR
Документация

Микросхема SN74LVC1G08DBVR

Артикул:134703
В наличии
ПроизводительTexas Instruments
Ед. изм.шт
На своём складе
2 404 шт.
Норм. уп.: 3000
У поставщиков
6 939 шт.
Норм. уп.: 50
Цены (собственный склад)
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 304,21
от 604,04
от 1203,93
от 2003,84
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:1 шт
Срок поставки: до 2 недель
Норм. уп.: 3000
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 304,21
от 604,04
от 1203,93
от 2003,84
Склад 15
В наличии:6 900 шт
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 300
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 3004,58
Склад 12
В наличии:38 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 500 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 16,21
от 504,74
от 5004,05
Описание

Микросхема SN74LVC1G08DBVR от Texas Instruments — это логический элемент «И» на один вход. Работает в диапазоне напряжений от 1,65 до 5,5 В и выпускается в компактном корпусе SOT-23-5 для поверхностного монтажа. Температурный диапазон составляет от -40 до +125 °С. Применяется в портативной и промышленной электронике, где требуется минимальное энергопотребление.

Технические характеристики
ТипЛогические - Вентили и Инверторы
ESD (мм)200V
СемействоLVC
Вес0.06
ESD CDM1000V
ЭСР HBM2000V
В упаковкеREEL, 3000 шт.
Тип монтажаSMD
КорпусSOT-23-5
Кол-во выводов5
Рабочая температура- 40…+ 125 °С
Logic functionAND gate (Y = A & B)
Диап. вх. напр.1.65…5.5 max В
Latch up current100mA
Макс. вх. напр.5.5V
Макс. выходное напряжение5.5V
Макс. ток питания10μA
Макс. напр. пит.5.5V
Мин. напр. пит.1.65V
Тип. входная емкость4pF at 3.3V
Макс. задержка распространения3.6ns at 3.3V (CL=15pF)
Propagation delay typ0.8ns at 3.3V (CL=15pF)
Макс. темп. хр.150°C
Мин. темп. хр.-65°C
Макс. ток утечки входа±5μA
Макс. раб. темп.85°C
Мин. раб. темп.-40°C
Partial power down supportДа
Low level output current max32mA at 4.5V
Low level output current min4mA at 1.65V
High level output current max-32mA at 4.5V
High level output current min-4mA at 1.65V
Power dissipation capacitance typ26pF at 3.3V (f=10MHz)
Input transition rise fall rate max20ns/V at 1.8V, 10ns/V at 3.3V, 5ns/V at 5V
Output leakage current max off state±10μA
Термосопротивление переход-среда207.6°C/W (DBV package)

Заметили ошибку в описании или параметрах?