Документация
Микросхема SN74AHC1G126DBVR
У поставщика
У поставщиков
2 470 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 470 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 156 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,47 |
| от 126 | 4,06 |
| от 252 | 3,66 |
| от 503 | 3,28 |
| от 1 006 | 2,98 |
Описание
Микросхема SN74AHC1G126DBVR от Texas Instruments — это одноканальный буфер с тремя состояниями выхода. Работает при напряжении от 2 до 5,5 В, обеспечивает выходной ток до ±8 мА и имеет малый ток потребления всего 10 мкА. Выпускается в компактном SMD-корпусе SOT-23 с пятью выводами. Подходит для промышленной автоматики и другой цифровой техники, где требуется согласование сигналов.
Технические характеристики
| ESD CDM | 1000V |
| ЭСР HBM | 1500V |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Выводы корпуса | 5 |
| Output drive 5v | ±8mA |
| Размер корпуса | 2.90mm x 1.60mm |
| Max supply current | 10µA |
| Макс. напр. пит. | 5.5V |
| Мин. напр. пит. | 2V |
| Диап. вх. напр. | 0V to 5.5V |
| Защелка | 250mA |
| Диап. вых. напр. | 0V to Vcc |
| Макс. ток фиксации вх. | -20mA |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -65°C |
| Output clamp current max | ±20mA |
| Propagation delay 5v max | 6ns |
| Макс. раб. темп. | 125°C |
| Мин. раб. темп. | -40°C |
| Low level output current 2v | 50µA |
| Low level output current 5v | 8mA |
| High level output current 2v | -50µA |
| High level output current 5v | -8mA |
| Continuous output current max | ±25mA |
| Low level output current 3.3v | 4mA |
| High level output current 3.3v | -4mA |
| Low level input voltage max 2v | 0.5V |
| Low level input voltage max 3v | 0.9V |
| High level input voltage min 2v | 1.5V |
| High level input voltage min 3v | 2.1V |
| Low level input voltage max 5.5v | 1.65V |
| High level input voltage min 5.5v | 3.85V |
| Input transition rise fall rate 5v | 20ns/V |
| Input transition rise fall rate 3.3v | 100ns/V |
| Термосопротивление кристалл-плата | 60.6°C/W |
| Continuous channel current vcc or gnd | ±50mA |
| Термосопротивление переход-среда | 231.3°C/W |
| Thermal resistance junction to case top | 119.9°C/W |
| Thermal characterization parameter junction to top | 17.8°C/W |
| Thermal characterization parameter junction to board | 60.1°C/W |