
Документация
TVS-диоды SMBJ11A-E3/52
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияСупрессоры
У поставщиков
164 шт.
Норм. уп.: 750
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт19,11 ₽
Сумма573,30 ₽
В наличии164 шт
от 30 штюрлицам и ИП
30 шт · Склад 39 · 573,30 ₽
Описание
TVS-диод SMBJ11A-E3/52 от Vishay предназначен для защиты чувствительных электронных цепей от перенапряжений и электростатических разрядов. Компонент выполнен в компактном корпусе SMB (DO-214AA) и рассчитан на импульсную мощность 600 Вт. Однонаправленный супрессор обеспечивает быстрое ограничение напряжения до безопасного уровня, что делает его востребованным в источниках питания, телекоммуникационном и промышленном оборудовании.
Технические характеристики
| Тип | TVS-диод |
| Тип | TVS |
| Корпус | SMB (DO-214AA) |
| Особенности | glass passivated chip, very fast response time, low profile, UL 94 V-0 molding compound, MSL level 1 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | Uni-directional |
| Соответствие | RoHS, halogen-free options, AEC-Q101 qualified |
| Артикул | SMBJ11A-E3/52 |
| Код маркировки | KZ |
| Тестовый ток | 1mA |
| Конфигурация | Single |
| Квалификация | RoHS, commercial grade (E3 suffix) |
| Напряжение фиксации | 18.2V |
| Импульсная мощность макс. | 600W |
| Обратное рабочее напряжение | 11V |
| Мощность, Вт | 600 |
| Напряжение отключения | 11V |
| Импульсный ток макс. | 33A |
| Peak pulse waveform | 10/1000 μs |
| Макс. пробойное напр. | 13.5V |
| Мин. пробойное напр. | 12.2V |
| Имп. ток прямо | 100A |
| Обратный ток утечки | 5μA |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Макс. раб. темп. | 150°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Уровень чувствительности к влаге | MSL 1 |
| Имп. прямой ток | 100A |
| Repetitive rate duty cycle | 0.01% |
| Напряжение пробоя | 12.2 В |
| Тепловое сопротивление переход-вывод | 20°C/W |
| Рабочее напряжение | 11 В |
| Термосопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Напряжение ограничения | 18.2 В |
Заметили ошибку в описании или параметрах?