Документация
Модуль силовой тиристорно-диодный 1,6кВ 127А
У поставщика
ПроизводительSemikron
У поставщиков
1 шт.
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 шт
Срок поставки: до недели
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2 309,43 |
| от 2 | 2 283,66 |
| от 3 | 2 250,38 |
| от 4 | 2 203,20 |
| от 5 | 2 122,96 |
Описание
Модуль силовой тиристорно-диодный от Semikron рассчитан на напряжение 1,6 кВ и ток 127 А. Компонент выполнен в корпусе SEMIPONT 5. Применяется в промышленной автоматике и силовых преобразователях.
Технические характеристики
| Серия | SEMIPONT 5 |
| Вес | 75g |
| Корпус | SEMIPONT 5 |
| Chip type | Thyristor |
| Описание | Three phase antiparallel thyristor module |
| Артикул | SKUT 115/16T V2 |
| Конфигурация | Three phase antiparallel |
| Чувствительность к ЭСР | Да |
| Тип монтажа | винтовое |
| I2t tj25c 10ms | 11250 A²s |
| I2t tj130c 10ms | 7813 A²s |
| Ul recognized file | E 63 532 |
| Тип упаковки | Штучный товар |
| Holding current ih tj25c | 200mA |
| Isolation voltage 1s 50hz | 3600V |
| Диап. темп. хр. | -40...125°C |
| Диапазон темп. перехода | -40...125°C |
| Slope resistance rt tj130c | 5 mΩ |
| Temperature sensor b value | 3550 ± 2% K |
| Isolation voltage 1min 50hz | 3000V |
| Temperature sensor tolerance | 3% |
| Описание (англ.) | Thyristor / Diode Modules 1,6 KV, 127A |
| Gate controlled rise time tgr | 2 µs |
| On state voltage tj25c it150a | 1.6V |
| Threshold voltage vtto tj130c | 0.9V |
| Average on state current ts25c | 127A |
| Average on state current ts85c | 71A |
| Gate controlled delay time tgd | 1 µs |
| Gate trigger current igt tj25c | 150mA |
| Gate trigger voltage vgt tj25c | 3V |
| Latching current il tj25c rg33 | 600mA |
| Mounting torque to heatsink ms | 2.25...2.5 Nm |
| Rms current for w3c application | 105A |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | K/W |
| Temperature sensor coefficient a | 7.635e-3 °C⁻¹ |
| Temperature sensor coefficient b | 1.731e-5 °C⁻² |
| Surge on state current tj25c 10ms | 1500A |
| Surge on state current tj130c 10ms | 1250A |
| Gate non trigger current igd tj115c | 6mA |
| Gate non trigger voltage vgd tj130c | 0.25V |
| Repetitive peak reverse voltage vrrm | 1600V |
| Temperature sensor resistance at 100c | 1670Ω |
| Repetitive peak off state voltage vdrm | 1600V |
| Repetitive peak off state voltage vrsm | 1700V |
| Off state leakage current idd ird tj130c | 20mA |
| Circuit commutated turn off time tq tj130c | 150 µs |
| Critical rate of rise of on state current didt | 50 A/µs |
| Thermal resistance junction to sink per module | 0.32 K/W |
| Critical rate of rise of off state voltage dvdt | 500 V/µs |
Заметили ошибку в описании или параметрах?