Документация
Силовой модуль IGBT N-канальный 1700В 88А
У поставщика
ПроизводительSemikron
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
55 шт.
Норм. уп.: 8
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:55 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 8
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3 843,46 |
| от 2 | 3 803,06 |
| от 3 | 3 750,91 |
| от 4 | 3 677,22 |
| от 5 | 3 551,56 |
Описание
Силовой IGBT модуль N-канального типа от Semikron рассчитан на напряжение 1700 В и ток до 88 А. Компонент выполнен в корпусе SEMITRANS® 2 Case A-12, что обеспечивает надежный теплоотвод. Применяется в преобразователях частоты, сварочном оборудовании и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Qg | 600nC |
| Cies | 6.8nF |
| Coes | 0.28nF |
| Cres | 0.22nF |
| Icrm | 225A |
| T op | -40...150°C |
| Тип | IGBT module |
| Vces | 1700V |
| Vges | -20...20V |
| Rgint | 8.5Ω |
| T stg | -40...125°C |
| Ic nom | 75A |
| It rms | 200A |
| Вес | 160g |
| Корпус | SEMITRANS® 2 Case A-12 |
| T c max | 125°C |
| T j max | 175°C |
| Tf 150c | 140ns |
| Tr 150c | 29ns |
| Ices 25c | 1mA |
| Тип монтажа | винтовое |
| Baseplate | insulated copper |
| Diode ifs | 510A |
| Igbt type | N-channel |
| Diode ifrm | 150A |
| Td on 150c | 187ns |
| Vge th max | 6.4V |
| Vge th min | 5.2V |
| Vge th typ | 5.8V |
| Ic max tc25 | 125A |
| Ic max tc80 | 97A |
| Артикул | SKM75GB17E4 |
| Rce typ 25c | 15mΩ |
| Td off 150c | 603ns |
| Diode if nom | 75A |
| Rce typ 150c | 21mΩ |
| Vce0 typ 25c | 0.8V |
| UL признан | Да |
| Vce0 typ 150c | 0.7V |
| Diode err 150c | 21mJ |
| Diode qrr 150c | 27µC |
| Diode irrm 150c | 95A |
| Ton energy 150c | 30mJ |
| Vce sat max 25c | 2.18V |
| Vce sat typ 25c | 1.93V |
| Diode rf typ 25c | 9.1mΩ |
| Diode vf max 25c | 2.40V |
| Diode vf typ 25c | 2.00V |
| Toff energy 150c | 29mJ |
| Vce sat max 150c | 2.60V |
| Vce sat typ 150c | 2.28V |
| Diode if max tc25 | 88A |
| Diode if max tc80 | 65A |
| Diode rf typ 150c | 14mΩ |
| Diode vf0 typ 25c | 1.32V |
| Diode vf max 150c | 2.56V |
| Diode vf typ 150c | 2.14V |
| Напр. изоляции | 4000V |
| Diode vf0 typ 150c | 1.08V |
| Stray inductance ce | 30nH |
| Screw torque heatsink | 3...5 Nm |
| Screw torque terminals | 2.5...5 Nm |
| Макс. частота переключения | 8kHz |
| Тип упаковки | Paper Box |
| Gate resistor integrated | Да |
| Thermal resistance jc igbt | 0.304K/W |
| Thermal resistance jc diode | 0.632K/W |
| Thermal resistance cs module | 0.04...0.05K/W |
| Описание (англ.) | IGBT Module N-CH 1.7KV 88A 7-Pin Case D-61 |
| Terminal resistance cc ee 25c | 0.65mΩ |
| Terminal resistance cc ee 125c | 1.09mΩ |
| Напряжение, В | 1700 |
| Ток, А | 75 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?